Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 5, страницы 342–348
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170100 (Mi jetpl5058) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами

Ю. Н. Ханинa, Е. Е. Вдовинa, А. Мищенкоb, Ж. С. Туb, А. Козиковb, К. С. Новоселовb, Р. В. Горбачевb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK
PDF полного текста (646 kB) Список цитирования (7)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170100
Аннотация: Исследовано резонансное магнитотуннелирование в гетероструктурах с однослойными листами графена, разделенными барьером из гексагонального нитрида бора, и двумя затворами, что позволило изучить переходы между индивидуальными уровнями Ландау, принадлежащими разным графеновым слоям, ограниченными узким окном проводимости, ширина которого регулируется смещающим напряжением. Построены и идентифицированы трехмерные карты равновесной туннельной проводимости в зависимости от напряжений на обоих затворах, отражающие движение резонансов между различными комбинациями индивидуальных уровней Ландау в верхнем и нижнем слоях. Обнаруженная ступенчатая структура карт тока с плато и резкими перескоками между ними обусловлена пиннингом химических потенциалов на уровнях Ландау в двух графеновых слоях. Наличие на вольтамперных характеристиках (ВАХ) в магнитном поле областей отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пикового тока к долинному $I_p/I_v\sim2$ свидетельствует о высокой степени сохранения параллельной интерфейсам компоненты импульса при туннелировании.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-01221_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ 15-02-01221-а и программ фундаментальных исследований Президиума РАН “Актуальные проблемы физики низких температур” и “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий”.
Поступила в редакцию: 28.07.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 5, Pages 334–340
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016170094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, Ж. С. Ту, А. Козиков, К. С. Новоселов, Р. В. Горбачев, “Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 342–348; JETP Letters, 104:5 (2016), 334–340
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaVdoMis16}
\by Ю.~Н.~Ханин, Е.~Е.~Вдовин, А.~Мищенко, Ж.~С.~Ту, А.~Козиков, К.~С.~Новоселов, Р.~В.~Горбачев
\paper Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен--нитрид бора--графен гетероструктурах с двумя затворами
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 342--348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5058}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16170100}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26184382}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 334--340
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016170094}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000388292500010}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84994804688}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5058
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i5/p342
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:212
    PDF полного текста:42
    Список литературы:53
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024