Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 591–596
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45921.8679
(Mi phts5807)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в $p$$i$$n$-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs

Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
Аннотация: Исследована фотопроводимость и ее релаксационные характеристики при импульсном освещении в туннельных гетероструктурах GaAs/AlAs $p$$i$$n$-типа. Обнаружены квантовые осцилляции фотопроводимости в зависимости от напряжения смещения с не зависящим от длины световой волны периодом и осциллирующая компонента релаксационных кривых, обусловленная модуляцией темпа рекомбинации на крае треугольной квантовой ямы в нелегированном $i$-слое, так же как и в случае осцилляций фотопроводимости. Единая природа осцилляций стационарной фотопроводимости и релаксационных кривых при импульсном освещении непосредственно подтверждается отсутствием осциллирующей компоненты в обоих типах зависимостей части исследовавшихся $p$$i$$n$-гетероструктур. Одновременное подавление наблюдаемых осцилляций обoих типов зависимостей с повышением температуры до 80 K также подтверждает предлагаемый нами механизм их формирования. Исследованы зависимости этих осцилляций от магнитного поля и мощности светового излучения. Подавление амплитуды осцилляций в перпендикулярном току магнитном поле $\sim$2 Тл обусловлено влиянием силы Лоренца на баллистическое движение носителей в области треугольной квантовой ямы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00425
Министерство образования и науки Российской Федерации 007-00220-18-00
Е.Е. Вдовин благодарит за финансовую поддержку РФФИ (грант 18-02-00425), а Ю.Н. Ханин – за финансирование в рамках Государственного задания № 007-00220-18-00.
Поступила в редакцию: 05.07.2017
Принята в печать: 12.07.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 6, Pages 739–744
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618060088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, “Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в $p$$i$$n$-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 591–596; Semiconductors, 52:6 (2018), 739–744
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaVdo18}
\by Ю.~Н.~Ханин, Е.~Е.~Вдовин
\paper Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в $p$--$i$--$n$-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 591--596
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5807}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45921.8679}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37051669}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 739--744
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618060088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5807
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p591
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024