Сингулярность в туннельном токе через InAs квантовую точку, индуцированная магнитным полем

Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/(AlGa)As/GaAs гетероструктуру, содержащую самоорганизованные InAs квантовые точки, при низких температурах. Обнаружено аномальное возрастание туннельного тока через квантовые точки как в параллельном, так и перпендикулярном току магнитном поле, которое не может быть объяснено в рамках одноэлектронного приближения. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта в соответствии с модифицированной теорией Матвеева–Ларкина, которая предсказывает появление сингулярности в туннельном токе через нульмерное состояние в магнитном поле вследствие взаимодействия туннелирующего электрона с поляризованным по спину трехмерным электронным газом в эмиттере. Отсутствие спинового расщепления экспериментальных резонансов обусловлено полной спиновой поляризацией эмиттера при относительно небольших значениях магнитного поля.