|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем
Е. Е. Вдовинa, К. С. Новоселовb, Ю. Н. Ханинa a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Московская область
b School of Physics and Astronomy, The University of Manchester, UK
Аннотация:
Представлен краткий обзор работ, в основном экспериментального характера, освещающих наиболее интересные аспекты применения метода резонансно-туннельной спектроскопии в исследованиях нового типа гетеросистем — ван-дер-ваальсовых гетероструктур, появившихся в результате открытия двумерных кристаллов — нового класса материалов, родоначальником которого является графен. Рассмотрены роль углового согласования кристаллических решеток проводящих графеновых электродов в процессах туннелирования носителей между ними и тесно связанные с этим вопросы выполнения законов сохранения при туннельных переходах. Обсуждены результаты экспериментов по неупругому туннелированию в сильно разориентированных по углу гетеросистемах графен/гексагональный нитрид бора/графен, которые позволили определить спектр фононных плотностей состояний слоев, составляющих гетеросистему, а также зарегистрировать и описать процессы туннельных переходов с участием локализованных состояний дефектов кристаллической структуры барьерного нитрида бора. Рассмотрены новые результаты исследований туннелирования и магнитотуннелирования в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах, демонстрирующие возможности практического применения резонансно-туннельных эффектов, в частности в СВЧ-технике, основанные на реализации приборов с областями отрицательной дифференциальной проводимости на вольт-амперных характеристиках при туннелировании через дефектные уровни барьерных слоев в таких системах. В этих работах обнаружены два новых типа гетеросистем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьерном нитриде бора, а также происходит генерация тока, обусловленная наличием дефектов.
Библиография — 40 ссылок.
Поступила в редакцию: 26.06.2019
Образец цитирования:
Е. Е. Вдовин, К. С. Новоселов, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем”, Усп. хим., 88:11 (2019), 1081–1093; Russian Chem. Reviews, 88:11 (2019), 1081–1093
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/rcr4270 https://www.mathnet.ru/rus/rcr/v88/i11/p1081
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 121 |
|