Влияние мощности излучения на модификацию осцилляций фототока в однобарьерных $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками

Изучено влияние мощности падающего светового излучения на поведение квантовых осцилляций фототока в однобарьерных $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками. Обнаружено резкое подавление начальных осцилляций с ростом мощности, обусловленное деструктивным влиянием случайных флуктуаций потенциала, порождаемых накоплением заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Обнаружено критическое влияние рекомбинации в области сильнолегированого $p$-слоя на относительную величину осцилляций в диапазоне малых мощностей. При большой мощности обнаружена генерация тока аналогичная наблюдавшейся в $n{-}i{-}n$ резонансно-туннельных структурах. Предложена новая качественная модель формирования осцилляций, включающая, как основной элемент, диффузионный транспорт фотовозбужденных электронов из $p$-слоя. Новая модель подтверждена также измерениями осцилляций при разных длинах волн.