|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН,
142432 Черноголовка, Россия
Аннотация:
Обнаружено сильное влияние длины волны падающего света $\lambda$ на относительную долю осциллирующей составляющей фототока в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ гетероструктурах. Эффект объяснен в рамках расширенной “резонансно-туннельной” модели происхождения осцилляций, учитывающей также смещение глубины поглощения света в гетероструктуре с длиной волны $\lambda$. Поведение фотоосцилляций в магнитном поле оказалось аналогичным поведению туннельных резонансов в $n{-}i{-}n$ структурах с широкими квантовыми ямами и дало подтверждения как нашей интерпретации влияния $\lambda$ на относительный вклад осциллирующей компоненты в фототок, так и применимости нашей модели осцилляций.
Поступила в редакцию: 23.07.2021 Исправленный вариант: 19.08.2021 Принята в печать: 20.08.2021
Образец цитирования:
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, “Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021), 366–371; JETP Letters, 114:6 (2021), 332–336
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6511 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v114/i6/p366
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | Список литературы: | 14 | Первая страница: | 6 |
|