Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах

Обнаружено сильное влияние длины волны падающего света $\lambda$ на относительную долю осциллирующей составляющей фототока в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ гетероструктурах. Эффект объяснен в рамках расширенной “резонансно-туннельной” модели происхождения осцилляций, учитывающей также смещение глубины поглощения света в гетероструктуре с длиной волны $\lambda$. Поведение фотоосцилляций в магнитном поле оказалось аналогичным поведению туннельных резонансов в $n{-}i{-}n$ структурах с широкими квантовыми ямами и дало подтверждения как нашей интерпретации влияния $\lambda$ на относительный вклад осциллирующей компоненты в фототок, так и применимости нашей модели осцилляций.