|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 90, выпуск 6, страницы 494–500
(Mi jetpl546)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Аннотация:
Исследовано туннелирование через локализованные электронные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. С помощью метода визуализации волновых функций получены контурные карты пространственного распределения плотности вероятности электронных волновых функций этих состояний. Обнаружено, что их волновые функции обладают аксиальной симметрией и формой, подобной основному состоянию молекулы водорода, а характерные размеры волновых функций совпадают с предсказываемыми теорией размерами водородоподобных состояний донорных пар кремния в GaAs квантовой яме с соответствующими энергиями связи.
Поступила в редакцию: 02.07.2009
Образец цитирования:
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 494–500; JETP Letters, 90:6 (2009), 449–454
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl546 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v90/i6/p494
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 205 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 45 |
|