Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015, том 102, выпуск 11, страницы 830–836
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15230058 (Mi jetpl4802) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах

Ю. Н. Ханинa, Е. Е. Вдовинa, О. Макаровскийb, М. Хениниcb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK
c Nanoscience Centre, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK
PDF полного текста (490 kB) Список цитирования (5)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15230058
Аннотация: Изучены квантовые осцилляции фотопроводимости в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками. На основе простой электростатической модели показано доминирующее влияние динамики накопления заряда фотовозбужденных дырок на квантовых точках на период осцилляций и их эволюцию с изменением мощности освещения в целом. Исследования температурных зависимостей осцилляционной структуры вольт-амперных характеристик подтвердили нашу интерпретацию.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-01221-а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант #15-02-01221-а) и программ фундаментальных исследований президиума РАН “Актуальные проблемы физики низких температур” и “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий”.
Поступила в редакцию: 30.09.2015
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, Volume 102, Issue 11, Pages 720–726
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364015230071
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, О. Макаровский, М. Хенини, “Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015), 830–836; JETP Letters, 102:11 (2015), 720–726
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaVdoMak15}
\by Ю.~Н.~Ханин, Е.~Е.~Вдовин, О.~Макаровский, М.~Хенини
\paper Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 11
\pages 830--836
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4802}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15230058}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25373101}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 11
\pages 720--726
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015230071}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000371276500005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84975705133}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4802
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i11/p830
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:153
    PDF полного текста:53
    Список литературы:45
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024