|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. В. Свечников, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, Л. Г. Герчиков, Е. В. Никитина, А. С. Дашков, М. М. Борисов, С. Н. Якунин, А. Д. Буравлев, “Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 7–10 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, L. G. Gerchikov, E. V. Nikitina, A. S. Dashkov, M. M. Borisov, S. N. Yakunin, A. D. Bouravlev, “High-precision characterization of super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices using X-ray reflectometry on a synchrotron source”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 757–760 |
6
|
|
2020 |
2. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, А. С. Дашков, М. В. Свечников, А. Д. Буравлев, “Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1906–1912 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, A. S. Dashkov, M. V. Svechnikov, A. D. Bouravlev, “Deep X-ray reflectometry of supermultiperiod A$_3$B$_5$ structures with quantum wells grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1822–1827 |
7
|
|
2019 |
3. |
С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев, “Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2294–2297 ; S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 |
3
|
4. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
5. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, А. М. Мизеров, А. Д. Буравлев, “Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1726–1732 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, A. M. Mizerov, A. D. Bouravlev, “The metal-assisted photochemical etching of N- and Ga-face GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723 |
3
|
6. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
4
|
7. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
|
2018 |
8. |
В. Н. Кац, А. В. Платонов, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, В. П. Кочерешко, “Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2445–2449 ; V. N. Kats, A. V. Platonov, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, V. P. Kochereshko, “Polarization spectroscopy of an isolated quantum dot and an isolated quantum wire”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2623–2627 |
1
|
9. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 |
3
|
10. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
11. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
17
|
12. |
I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 510 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608 |
13. |
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 23–27 ; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23 |
14. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
|
2017 |
15. |
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1631 ; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23 |
16. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
17. |
В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 71–77 ; V. G. Talalaev, V. I. Shtrom, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813 |
2
|
|
2016 |
18. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124 |
18
|
19. |
А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1675–1678 ; A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, V. N. Kats, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, D. V. Avdoshina, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Polarization of the photoluminescence of quantum dots incorporated into quantum wires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1647–1650 |
20. |
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646 ; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 |
1
|
21. |
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1587–1591 ; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565 |
4
|
22. |
Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444 ; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 |
15
|
|
2015 |
23. |
V. N. Trukhin, A. S. Buyskih, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, Yu. B. Samsonenko, A. V. Trukhin, G. E. Cirlin, M. A. Kaliteevski, D. A. Zeze, A. J. Gallant, “Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015), 348–353 ; JETP Letters, 102:5 (2015), 316–320 |
3
|
|