Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике

Методами рентгеновской рефлектометрии (в том числе на синхротронном источнике) и фотолюминесценции определена морфология сверхмногопериодных сверхрешеток Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найденные с помощью лабораторных и синхротронных исследований толщины слоев сверхрешетки со 100 периодами коррелируют с точностью $\sim$1%. На синхротроне начиная с высоких ($>$ 4 – 5) брэгговских порядков обнаружены пики отражения, которые не наблюдаются при измерениях на дифрактометре и связаны, по-видимому, с технологическими особенностями роста таких структур. Из анализа следует, что пики соответствуют модуляции в сверхрешетке с периодом, в $\sim$3 – 5 раз большим, и характеризуют разброс толщин по глубине структуры в несколько процентов.