Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1726–1732
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48635.9220 (Mi phts5343) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN

Д. В. Моховa, Т. Н. Березовскаяab, Е. В. Никитинаa, К. Ю. Шубинаa, А. М. Мизеровa, А. Д. Буравлевabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (3247 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48635.9220
Аннотация: Представлены результаты исследования процессов фотохимического травления, осуществленных без приложения внешнего напряжения, структур с Ga- и N-полярными слоями GaN, синтезированными методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что скорость травления слоев с разной полярностью сильно различается. При этом использование для травления слоев GaN масок на основе золота вместо титана также позволяет повысить скорость травления слоев.
Ключевые слова: слои GaN, фотохимическое травление, металл-усиленное травление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.9789.2017/БЧ
Сколковский институт науки и технологий 3663-MRA
Ростовые эксперименты проводились в рамках выполнения государственного задания № 16.9789.2017/БЧ. Морфологические исследования и травление образцов выполнены в рамках генерального соглашения о научно-исследовательской деятельности между Сколтехом и СПбАУ РАН (№ 3663-MRA, проект 4).
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1717–1723
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, А. М. Мизеров, А. Д. Буравлев, “Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1726–1732; Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MokBerNik19}
\by Д.~В.~Мохов, Т.~Н.~Березовская, Е.~В.~Никитина, К.~Ю.~Шубина, А.~М.~Мизеров, А.~Д.~Буравлев
\paper Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1726--1732
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5343}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48635.9220}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848207}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1717--1723
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5343
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1726
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024