|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Шутаев, В. А. Матвеев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Щелоков, Ю. П. Яковлев, “Оптические и структурные свойства нанопленок палладия в атмосфере водорода”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021), 1183–1187   ; V. A. Shutaev, V. A. Matveev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Shchelokov, Yu. P. Yakovlev, “Optical and structural properties of palladium nanolayers in hydrogen medium”, Optics and Spectroscopy, 129:12 (2021), 1306–1310 |
4
|
| 2. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1236–1239 |
1
|
| 3. |
М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 995–1010 |
| 4. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия”, Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020), 603–606 ; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers”, Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 596–599 |
8
|
| 6. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1267–1288 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 |
2
|
| 7. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
| 8. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, М. Е. Компан, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 547–551 ; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, M. E. Kompan, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures”, Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661 |
2
|
| 9. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 202–206 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 |
6
|
|
2019 |
| 10. |
В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Л. К. Власов, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1427–1430 ; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 |
7
|
| 11. |
В. В. Романов, И. А. Белых, Э. В. Иванов, П. А. Алексеев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 832–838 ; V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 |
6
|
| 12. |
М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 291–308 ; M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application”, Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290 |
26
|
| 13. |
Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 246–248 ; E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent”, Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236 |
7
|
| 14. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 50–54 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 |
1
|
|
2018 |
| 15. |
Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1183–1186 ; E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 |
6
|
| 16. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
4
|
| 17. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
|
2017 |
| 18. |
М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017), 315–318 ; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 |
3
|
| 19. |
М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1273–1277 ; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228 |
|
2016 |
| 20. |
Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424 ; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 |
3
|
| 21. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 946–951 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 |
4
|
| 22. |
Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 794–800 ; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 |
3
|
|
1993 |
| 23. |
Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  ] |
6
|
|
1992 |
| 24. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения
в гетеролазерах на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1971–1976 |
| 25. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии
метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 18:22 (1992), 6–10 |
| 26. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb
для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 50–53 |
| 27. |
Н. М. Колчанова, А. А. Попов, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновое излучение в гетеросветодиодах на основе
GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 40–44 |
| 28. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb
лазерах”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 18–24 |
|
1991 |
| 29. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, С. В. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1429–1436 |
| 30. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС
лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 394–401 |
| 31. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. П. Михайлова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением
в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 298–306 |
| 32. |
Т. И. Воронина, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, Ю. П. Яковлев, “Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 283–286 |
| 33. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых
растворов GaInSbAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 276–282 |
| 34. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики
GaInAsSb/GaSb лазеров”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 54–59 |
| 35. |
А. Абрагам, Э. Гулициус, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb
гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 56–60 |
|
1990 |
| 36. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1708–1714 |
| 37. |
М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, Ю. П. Сморчкова, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1397–1406 |
| 38. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078 |
| 39. |
А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа
GalnAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1056–1061 |
| 40. |
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 98–103 |
| 41. |
А. Н. Именков, О. П. Капранчик, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе
GaInAsSb вблизи области несмешиваемости ($\lambda=2.4{-}2.6$ мкм,
$T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 16:24 (1990), 19–24 |
| 42. |
А. М. Гребенюк, С. И. Круковский, А. М. Литвак, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Фазовые равновесия расплав$-$твердое тело при ЖФЭ синтезе
$\text{A}^{3}\text{B}^{5}$ соединений из «инертных
растворителей» (на примере систем: Pb$-$InAs$-$InSb
и Bi$-$Ga$-$GaAs)”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 23–27 |
| 43. |
А. Н. Баранов, А. Н. Именков, О. П. Капранчик, Валер. В. Негрескул, А. Г. Чернявский, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов
InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs
($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K)
с широкозонным «окном»”, Письма в ЖТФ, 16:16 (1990), 42–47 |
| 44. |
В. Г. Аветисов, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Надеждинский, А. Н. Хуснутдинов, Ю. П. Яковлев, “Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров
на основе GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 66–70 |
| 45. |
А. М. Литвак, К. Д. Моисеев, Т. Попова, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Получение твердых растворов
Al$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$/InAs методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 16:13 (1990), 41–45 |
| 46. |
А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Получение твердых растворов
In$_{x}{-}\text{Ga}_{1-x}{-}\text{As}_{y}{-}\text{Sb}_{1-y}$,
изопериодных к CaSb, вблизи границы области несмешиваемости”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990), 33–38 |
| 47. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32 |
|
1989 |
| 48. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа
на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1373–1377 |
| 49. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль
в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 780–786 |
| 50. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Е. А. Сидоренкова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона
1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 71–75 |
| 51. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения
и умножения для области спектра
1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 71–76 |
| 52. |
А. А. Гусейнов, Б. Е. Джуртанов, A. M. Литвак, М. А. Мирсагатов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав$-$твердое тело
в системах A$^{3}$B$^{5}$ (на примере In$-$Ga$-$As$-$Sb)”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 67–73 |
| 53. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19 |
| 54. |
Н. С. Аверкиев, А. Н. Именков, A. M. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Релаксация излучения и неравновесной заселенности
в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989), 79–83 |
|
1988 |
| 55. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев, “Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе
GaInAsSb”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1623–1626 |
| 56. |
А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Джуртанов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов
GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости
($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1839–1843 |
| 57. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе
GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1671–1675 |
| 58. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения
и умножения
на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 986–991 |
| 59. |
А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. Гусейнов, А. Н. Именков, Л. М. Литвак, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе
GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм,
$\eta=4$%, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:9 (1988), 845–849 |
| 60. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной
структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 389–393 |
|
1987 |
| 61. |
Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев, “Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов”, ЖТФ, 57:2 (1987), 316–321 |
| 62. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1103–1108 |
| 63. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. М. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 517–523 |
| 64. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 481–485 |
| 65. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, Ю. П. Яковлев, “Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 459–464 |
| 66. |
Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 332–337 |
|
1986 |
| 67. |
И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, В. Ф. Сапега, Ю. П. Яковлев, “Спектр и поляризация фотолюминесценции в непрямозонных полупроводниковых кристаллах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1869–1874 |
| 68. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной
структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2217–2221 |
| 69. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315 |
| 70. |
Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1241–1245 |
| 71. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986), 664–668 |
| 72. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 557–561 |
|
1985 |
| 73. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Н. С. Зимогорова, Л. М. Канская, Ю. П. Яковлев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных
из расплавов, обогащенных сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1676–1679 |
| 74. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах
GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1605–1611 |
| 75. |
В. Н. Бессолов, Е. С. Добрынина, М. В. Лебедев, В. И. Петров, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Люминесценция упруго и пластически деформированных
при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1078–1080 |
| 76. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной
$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 502–506 |
| 77. |
Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, С. Е. Клименко, В. Е. Корсуков, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:8 (1985), 465–469 |
| 78. |
Н. Т. Баграев, А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Ю. Н. Толпаров, Ю. П. Яковлев, “Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 117–121 |
|
1984 |
| 79. |
А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных
фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984), 1360–1364 |
| 80. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP
структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984), 149–153 |
|
1983 |
| 81. |
Ю. Ю. Абдурахманов, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование капиллярного эффекта в системе
Ga$-$Al$-$As/GaAs”, ЖТФ, 53:11 (1983), 2224–2226 |
| 82. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983), 411–412 |
| 83. |
В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2173–2176 |
| 84. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения
в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 753–755 |
| 85. |
Ю. Ю. Абдурахманов, В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, Е. А. Поссе, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P
$p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 125–128 |
| 86. |
А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент
сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 645–648 |
|
1966 |
| 87. |
Ю. П. Яковлев, “Исследование диатермичности твердых материалов при высоких температурах излучателя”, ТВТ, 4:6 (1966), 882–883 |
|
1963 |
| 88. |
О. В. Ложкин, Н. А. Перфилов, Ю. П. Яковлев, “Особенности образования $\mathrm{Li}_3^8$ при взаимодействии протонов 660 Мэв с ядрами $\mathrm{C}_6^{12}$”, Докл. АН СССР, 151:4 (1963), 826–828 |
|
Обратная связь: