Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 9, страницы 839–842 (Mi qe3156)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения

Ю. П. Яковлевa, А. Н. Барановa, А. Н. Именковa, В. В. Шерстневa, Е. В. Степановb, Я. Я. Понуровскийb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Институт общей физики АН РФ, г. Москва
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность создания перестраиваемых по частоте полупроводниковых инжекционных лазеров на основе InAsSb/lnAsSbP для спектрального диапазона λ = 3.2–3.4 мкм. Лазеры данного типа были использованы нами при рабочих температурах 77–160 K для целей молекулярной спектроскопии высокого разрешения. Полученные спектры поглощения молекул метана и этилена позволили определить наиболее важные спектроскопические свойства лазеров данного типа, такие как диапазон плавной перестройки частоты, скорость перестройки, спектральное разрешение, отношение сигнал-шум.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, Volume 23, Issue 9, Pages 726–729
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1993v023n09ABEH003156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Fc, 42.62.Fi


Образец цитирования: Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3156
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i9/p839
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:294
    PDF полного текста:71
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024