|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 9, страницы 839–842
(Mi qe3156)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Лазеры
Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения
Ю. П. Яковлевa, А. Н. Барановa, А. Н. Именковa, В. В. Шерстневa, Е. В. Степановb, Я. Я. Понуровскийb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Институт общей физики АН РФ, г. Москва
Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность создания перестраиваемых
по частоте полупроводниковых инжекционных лазеров на основе InAsSb/lnAsSbP для
спектрального диапазона λ = 3.2–3.4 мкм. Лазеры данного типа были использованы нами при рабочих температурах 77–160 K для целей молекулярной спектроскопии высокого разрешения. Полученные
спектры поглощения молекул метана и этилена позволили определить наиболее важные спектроскопические свойства лазеров данного типа, такие как диапазон плавной перестройки частоты, скорость
перестройки, спектральное разрешение, отношение сигнал-шум.
Образец цитирования:
Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3156 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i9/p839
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 294 | PDF полного текста: | 71 |
|