Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 547–551
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49383.9359
(Mi phts5219)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP

В. А. Шутаевa, Е. А. Гребенщиковаa, В. Г. Сидоровb, М. Е. Компанa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "АИБИ", г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследован импеданс и емкостные свойства структур Pd/оксид/InP при 300 K в диапазоне частот 10$^{-1}$–10$^{5}$ Гц на воздухе и в азотно-водородной газовой среде. Характеристики структур в обеих средах интерпретируются на основе модели параллельной RC-цепочки с последовательным сопротивлением. В присутствии водорода сопротивление структур уменьшается на 3 порядка, а емкость взрастает на 1–3 порядка в зависимости от частоты, что, возможно, связано с образованием положительно заряженных центров в оксиде. На вольт-фарадных характеристиках структур в среде с водородом обнаружен гистерезис, возможно, обусловленный ионной поляризацией центров. Показано, что полный заряд центров, измеренный в единицах электронов, практически совпадает с числом атомов водорода, поглощенных палладием.
Ключевые слова: палладий, водород, фосфид индия, импеданс, МОП структура.
Поступила в редакцию: 29.01.2020
Исправленный вариант: 05.02.2020
Принята в печать: 05.02.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 6, Pages 658–661
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620060160
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, М. Е. Компан, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 547–551; Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShuGreSid20}
\by В.~А.~Шутаев, Е.~А.~Гребенщикова, В.~Г.~Сидоров, М.~Е.~Компан, Ю.~П.~Яковлев
\paper Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 547--551
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5219}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49383.9359}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800479}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 658--661
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620060160}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5219
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i6/p547
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024