Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP

Исследована фотоэдс структур металл–диэлектрик–полупроводник (Pd/анодный оксид/InP) в зависимости от концентрации водорода в азотно-водородной газовой смеси в интервале 0.1–100 об%. Показано,что при одновременном воздействии на структуру освещения и водорода скорость спада фотоэдс структуры Pd–оксид–InP и концентрация водорода связаны между собой экспоненциально: $N_{\mathrm{H}} = a\operatorname{exp}(bS)$, где $N_{\mathrm{H}}$ – концентрация водорода в газовой смеси в объемных %, $S=dU/dt|_{t = 0}$ – скорость изменения сигнала $U$ на начальном участке спада фотоэдс, начиная с момента контакта структуры с газовой смесью, $a$ и $b$ – постоянные, зависящие от толщины слоя палладия и слоя анодной оксидной пленки на InP.