Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами

Сообщается об исследовании электролюминесцентных свойств светодиодной гетероструктуры $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290–470 K. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470 K оптическая мощность излучения увеличивалась в 1.5–2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре.