|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 794–800
(Mi phts6441)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Сообщается об исследовании электролюминесцентных свойств светодиодной гетероструктуры $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290–470 K. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470 K оптическая мощность излучения увеличивалась в 1.5–2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре.
Поступила в редакцию: 25.11.2015 Принята в печать: 30.11.2015
Образец цитирования:
Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 794–800; Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6441 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p794
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 9 |
|