Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 246–248
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47107.8967 (Mi phts5595) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP

Е. А. Гребенщиковаa, В. Г. Сидоровb, В. А. Шутаевa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "АИБИ", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (91 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47107.8967
Аннотация: Исследована скорость изменения фототока короткого замыкания диодов Шоттки Pd/$n$-InP в зависимости от присутствия водорода в газовой смеси с концентрацией H$_{2}$ в интервале 1–100 объемных %. Показано, что при одновременном воздействии на диод Шоттки газовой смеси, содержащей водород, и освещения ($\lambda$ = 0.9 мкм) концентрация водорода в газовой смеси и скорость изменения фототока диода Pd/$n$-InP связаны между собой экспоненциально. С увеличением интенсивности освещения увеличивается скорость реакции диодов Шоттки на присутствие водорода в газовой смеси.
Поступила в редакцию: 01.08.2018
Исправленный вариант: 13.08.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 234–236
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 246–248; Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreSidShu19}
\by Е.~А.~Гребенщикова, В.~Г.~Сидоров, В.~А.~Шутаев, Ю.~П.~Яковлев
\paper Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 246--248
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5595}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47107.8967}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476903}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 234--236
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5595
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p246
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024