|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Обзоры
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Обсуждаются процессы излучательной рекомбинации и ударной ионизации в светоизлучающих структурах на основе объемных полупроводников, гетероструктур с высокими потенциальными барьерами, наноструктур с глубокими квантовыми ямами и нанокристаллов с квантовыми точками. Показано, что увеличение квантовой эффективности и повышение оптической мощности люминесценции во всех исследованных структурах обусловлены общим физическим механизмом – созданием в процессе ударной ионизации дополнительных электронно-дырочных пар горячими носителями заряда, разогретыми на большом скачке потенциала на гетерогранице при токовой накачке, или за счет умножения носителей в процессе мультиэкситонной генерации в нанокристаллах при освещении высокоэнергетическими фотонами.
Ключевые слова:
излучательная рекомбинация, ударная ионизация, гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки.
Поступила в редакцию: 24.08.2020 Исправленный вариант: 26.08.2020 Принята в печать: 26.08.2020
Образец цитирования:
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1267–1288; Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5101 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1267
|
|