Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1267–1288
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50226.9509 (Mi phts5101) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Обзоры

Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)

М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1589 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50226.9509
Аннотация: Обсуждаются процессы излучательной рекомбинации и ударной ионизации в светоизлучающих структурах на основе объемных полупроводников, гетероструктур с высокими потенциальными барьерами, наноструктур с глубокими квантовыми ямами и нанокристаллов с квантовыми точками. Показано, что увеличение квантовой эффективности и повышение оптической мощности люминесценции во всех исследованных структурах обусловлены общим физическим механизмом – созданием в процессе ударной ионизации дополнительных электронно-дырочных пар горячими носителями заряда, разогретыми на большом скачке потенциала на гетерогранице при токовой накачке, или за счет умножения носителей в процессе мультиэкситонной генерации в нанокристаллах при освещении высокоэнергетическими фотонами.
Ключевые слова: излучательная рекомбинация, ударная ионизация, гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки.
Поступила в редакцию: 24.08.2020
Исправленный вариант: 26.08.2020
Принята в печать: 26.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1527–1547
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1267–1288; Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikIvaDan20}
\by М.~П.~Михайлова, Э.~В.~Иванов, Л.~В.~Данилов, К.~В.~Калинина, Ю.~П.~Яковлев, П.~С.~Копьев
\paper Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1267--1288
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5101}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50226.9509}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368061}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1527--1547
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5101
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1267
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:120
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024