Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1420–1424 (Mi phts6349)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра

Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (549 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Применен новый метод повышения спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 1.1–2.4 мкм. Показано, что формирование рельефа в виде углублений на тыльной неосвещаемой поверхности фотодиодного чипа, свободной от металлизации, позволяет увеличить спектральную чувствительность фотодиодов в интервале длин волн 1.8–2.4 мкм. Наибольшее увеличение, до 53% в максимуме, по сравнению с чувствительностью традиционных фотодиодов со сплошной металлизированной тыльной поверхностью чипа наблюдается для фотодиодов, чипы которых имеют мелкие углубления радиусом 30 мкм. Данные приборы могут найти широкое применение в системах для измерения количества воды в нефтепродуктах, влажности бумаги, почвы и зерна.
Поступила в редакцию: 18.04.2016
Принята в печать: 28.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1403–1407
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424; Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KunGreKon16}
\by Е.~В.~Куницына, Е.~А.~Гребенщикова, Г.~Г.~Коновалов, И.~А.~Андреев, Ю.~П.~Яковлев
\paper Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1420--1424
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6349}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369023}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1403--1407
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6349
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1420
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024