|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462  [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306  ] |
|
1988 |
| 2. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171–2172 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363 ] |
40
|
|
1987 |
| 3. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, “Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные
испытания лазеров на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 57:8 (1987), 1570–1574 |
| 4. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|
1986 |
| 5. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397 ] |
2
|
| 6. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anlsotropic deformation on radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. II. Spectral characteristics and discussion”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055 ] |
4
|
| 7. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anisotropic deformation on the radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. I. Lasing threshold, polarization, and wattampere characteristic”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050 ] |
7
|
| 8. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. С. Цимберова, “Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:7 (1986), 1376–1380 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. S. Tsimberova, “Light-emission and degradation characteristics of InGaAsP/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 16:7 (1986), 902–905 ] |
|
1985 |
| 9. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870 ] |
26
|
|
1984 |
| 10. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
| 11. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Н. Шохуджаев, “Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1665–1667 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, N. Shokhudzhaev, “Reduction of the threshold current of InGaAsP/lnP heterolasers by unidirectional compression”, Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1120–1121 ] |
11
|
| 12. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441 ] |
3
|
| 13. |
М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633 [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432 ] |
1
|
|
1982 |
| 14. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
| 15. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
|
1981 |
| 16. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209 ] |
2
|
| 17. |
В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202 ] |
1
|
|
1980 |
| 18. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2487–2488 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, B. N. Sverdlov, “Injection $GaInPAs/InP$ heterojunction laser with $6-7^\circ$ output divergence, emitting nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451 ] |
| 19. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
| 20. |
Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96 [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53 ] |
9
|
|
1978 |
| 21. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
| 22. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
|
1976 |
| 23. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
| 24. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1974 |
| 25. |
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295 [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] |
66
|
| 26. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2286–2288 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Anomalous interaction of spectral modes in a semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1275–1276] |
13
|
| 27. |
Д. Аккерман, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, 3. Рааб, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1145–1149 [D. Akkerman, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Z. Raab, B. N. Sverdlov, “Injection laser with a diffraction grating in its resonator”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 626–628] |
2
|
|
Обратная связь: