Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Коняев Вадим Павлович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 40
Научных статей: 40

Статистика просмотров:
Эта страница:286
Страницы публикаций:8719
Полные тексты:3649
Списки литературы:367
кандидат физико-математических наук
E-mail:

Научная биография:

Коняев Вадим Павлович (1947 г.р.). В 1971 г. окончил факультет физической и квантовой электроники МФТИ и был распределён в НИИ «Полюс». Главный конструктор направления «Излучатели лазерных диодов для задач спецтехники». Возглавляет направление по созданию лазерных диодов и излучателей для задач спецтехники. Кандидат физико-математических наук, Лауреат премии Мосина, присуждаемой за участие в создании новых образцов спецтехники.

https://www.mathnet.ru/rus/person84366
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=597532

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087  mathnet [A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, “Semiconductor lasers with improved radiation characteristics”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417]
2021
2. Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914  mathnet  elib [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914  isi  scopus] 3
2020
3. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003  isi  scopus] 3
2019
4. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus] 6
5. М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908  mathnet  elib [M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908  isi  scopus] 4
2018
6. М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995  mathnet  elib [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995  isi  scopus] 5
2013
7. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897  isi  scopus] 15
2011
8. А. П. Богатов, А. А. Кочетков, В. П. Коняев, “Оценка надежности гетеролазеров при их старении в процессе облучения потоком быстрых частиц”, Квантовая электроника, 41:2 (2011),  99–102  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, “Estimation of the reliability of heterolasers subjected to ageing under irradiation by a fast particle flux”, Quantum Electron., 41:2 (2011), 99–102  scopus] 2
2010
9. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus] 3
10. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus] 5
2009
11. Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus] 14
12. С. В. Каргапольцев, В. Л. Величанский, В. В. Васильев, М. Ш. Кобякова, А. В. Морозюк, Н. В. Ширяева, В. П. Коняев, “Низкопороговый диодный лазер с коротким резонатором для миниатюрных атомных часов”, Квантовая электроника, 39:6 (2009),  487–493  mathnet  elib [S. V. Kargapol'tsev, V. L. Velichansky, V. V. Vasil'ev, M. Sh. Kobyakova, A. V. Morozyuk, N. V. Shiryaeva, V. P. Konyaev, “Low-threshold short-cavity diode laser for a miniature atomic clock”, Quantum Electron., 39:6 (2009), 487–493  isi  scopus] 4
2008
13. М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus] 11
2002
14. П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев, “Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi] 7
2001
15. А. А. Кочетков, В. П. Коняев, “Pесурсные возможности одноэлементных гетеролазеров (λ ≈ 0.985 мкм) с мощностью излучения 1 Вт”, Квантовая электроника, 31:5 (2001),  417–418  mathnet [A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, “Service life of 1-W, 0.985-μm solitary heterolasers”, Quantum Electron., 31:5 (2001), 417–418  isi] 1
2000
16. А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом”, Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Optical loss in strained quantum-well semiconductor ridge lasers”, Quantum Electron., 30:10 (2000), 878–880  isi] 1
17. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, В. П. Коняев, “Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме”, Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, V. P. Konyaev, “Brightness and filamentation of a beam from powerful cw quantum-well In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs lasers”, Quantum Electron., 30:5 (2000), 401–405  isi] 22
18. А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, M. A. Belkin, V. P. Konyaev, “Experimental study of the α-factor in InGaAs/AlGaAs/GaAs strained quantum-well lasers”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 315–320  isi] 5
1999
19. В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2  mathnet [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284  isi] 1
1998
20. И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650  mathnet [I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Dynamics of the optical damage of output mirrors of ridge semiconductor lasers based on strained quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 629–632  isi] 5
1996
21. В. К. Батоврин, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Генерация пикосекундных импульсов видимого диапазона (GaIn)P-гетеролазером с неоднородным возбуждением”, Квантовая электроника, 23:8 (1996),  699–700  mathnet [V. K. Batovrin, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Generation of picosecond visible pulses in an inhomogeneously excited (GaIn)P heterolaser”, Quantum Electron., 26:8 (1996), 680–681  isi]
22. А. А. Кочетков, В. П. Коняев, В. М. Сорокин, С. В. Твердов, “Расчет ресурса мощных гетеролазеров (λ = 0.98 мкм)”, Квантовая электроника, 23:2 (1996),  112  mathnet [A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, V. M. Sorokin, S. V. Tverdov, “Calculation of the ligetime of high-power λ = 0.98 μm heterolasers”, Quantum Electron., 26:2 (1996), 108  isi] 1
1994
23. В. П. Коняев, В. Д. Курносов, В. Н. Лукьянов, А. Г. Плявенек, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Спектральные характеристики одночастотных квантово-размерных гетеролазеров”, Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1137–1140  mathnet [V. P. Konyaev, V. D. Kurnosov, V. N. Luk'yanov, A. G. Plyavenek, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Spectral characteristics of single-frequency quantum-well heterolasers”, Quantum Electron., 24:12 (1994), 1054–1057  isi] 1
24. Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин, “Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления”, Квантовая электроника, 21:7 (1994),  633–639  mathnet [E. V. Arzhanov, A. P. Bogatov, V. P. Konyaev, O. M. Nikitina, V. I. Shveikin, “Waveguiding properties of heterolasers based on InGaAs/GaAs strained quantum-well structures and characteristics of their gain spectra”, Quantum Electron., 24:7 (1994), 581–587  isi] 32
25. И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408  mathnet [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. I. Shveikin, “Spectral investigation of the radiation emitted by strained InGaAs/GaAlAs quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 373–376  isi]
26. В. В. Безотосный, В. П. Коняев, Н. В. Маркова, Г. Г. Харисов, “Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора”, Квантовая электроника, 21:1 (1994),  57–58  mathnet [V. V. Bezotosnyi, V. P. Konyaev, N. V. Markova, G. G. Kharisov, “Narrowing of the angular distribution of the radiation emitted by high-power injection lasers with a wide stripe contact by an external microselector”, Quantum Electron., 24:1 (1994), 54–55  isi]
1991
27. Е. М. Дианов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, В. А. Маслов, A. М. Прохоров, Е. А. Щербаков, “Объемные фазовые дифракционные решетки в кристалле КТР”, Квантовая электроника, 18:3 (1991),  396–398  mathnet [E. M. Dianov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, V. A. Maslov, A. M. Prokhorov, E. A. Shcherbakov, “Volume phase diffraction gratings in a KTP crystal”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 360–361  isi] 3
1990
28. Ю. Л. Бессонов, А. Х. Забродский, В. П. Коняев, В. Н. Лукьянов, С. А. Пашко, В. В. Оськина, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, С. В. Ястребов, “Прямая импульсно-кодовая модуляция излучения мощных гетеролазеров”, Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1383–1384  mathnet [Yu. L. Bessonov, A. Kh. Zabrodskiǐ, V. P. Konyaev, V. N. Luk'yanov, S. A. Pashko, V. V. Os'kina, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, S. V. Yastrebov, “Direct pulse-code modulation of high-power heterolaser radiation”, Sov J Quantum Electron, 20:10 (1990), 1295–1296  isi]
1989
29. К. С. Бурицкий, Т. М. Голованова, Ю. М. Грязнов, Н. Г. Добрякова, Е. М. Дианов, А. В. Киселев, В. П. Коняев, A. М. Прохоров, Е. А. Щербаков, “Интегрально-оптический модулятор бегущей волны с шириной полосы рабочих частот 4 ГГц”, Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2319–2322  mathnet [K. S. Buritskiǐ, T. M. Golovanova, Yu. M. Gryaznov, N. G. Dobryakova, E. M. Dianov, A. V. Kiselev, V. P. Konyaev, A. M. Prokhorov, E. A. Shcherbakov, “Traveling-wave integrated optical modulator with a working-frequency bandwidth of 4 GHz”, Sov J Quantum Electron, 19:11 (1989), 1492–1493  isi]
1984
30. М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633  mathnet [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432  isi] 1
1983
31. В. И. Бородулин, В. П. Коняев, В. Т. Потапов, Д. П. Трегуб, Б. Б. Эленкриг, “Экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1592–1598  mathnet [V. I. Borodulin, V. P. Konyaev, V. T. Potapov, D. P. Tregub, B. B. Èlenkrig, “Experimental investigation of dynamic characteristics of injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1047–1050  isi]
32. В. И. Бородулин, В. П. Коняев, Е. Р. Новикова, А. А. Тагер, Д. П. Трегуб, Б. Б. Эленкриг, “Экспериментальные исследования инжекционных лазеров с неоднородной накачкой”, Квантовая электроника, 10:3 (1983),  652–655  mathnet [V. I. Borodulin, V. P. Konyaev, E. R. Novikova, A. A. Tager, D. P. Tregub, B. B. Èlenkrig, “Experimental investigation of inhomogeneously pumped injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 398–401  isi] 2
33. Т. В. Батюнина, Ю. Л. Бессонов, В. И. Бородулин, М. В. Зверков, В. П. Коняев, О. А. Пашко, С. А. Пашко, В. А. Симаков, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики инжекционных лазеров с малой длиной резонатора”, Квантовая электроника, 10:2 (1983),  364–370  mathnet [T. V. Batyunina, Yu. L. Bessonov, V. I. Borodulin, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, O. A. Pashko, S. A. Pashko, V. A. Simakov, V. I. Shveǐkin, “Radiative characteristics of injection lasers with short resonators”, Sov J Quantum Electron, 13:2 (1983), 201–204  isi]
1981
34. В. И. Бородулин, Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, А. П. Грачев, К. Б. Дедушенко, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Интегральная пара РОС-генератор – усилитель на GaAs”, Квантовая электроника, 8:2 (1981),  250–255  mathnet [V. I. Borodulin, Yu. A. Bykovskiǐ, I. G. Goncharov, A. P. Grachev, K. B. Dedushenko, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. I. Shveǐkin, “An integrated GaAs distributed-feedback oscillator–amplifier system”, Sov J Quantum Electron, 11:2 (1981), 152–155  isi]
35. В. И. Бородулин, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, В. И. Швейкин, “Характеристики канального инжекционного гетеролазера”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  193–196  mathnet [V. I. Borodulin, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. B. Sergeev, I. A. Skopin, V. I. Shveǐkin, “Characteristics of a channel injection heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 113–115  isi] 1
1979
36. Ю. Л. Бессонов, В. И. Бородулин, Н. А. Вагнер, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. С. Семенов, А. Б. Сергеев, О. А. Уткина, “Инжекционный гетеролазер с малой длиной резонатора”, Квантовая электроника, 6:2 (1979),  402–404  mathnet [Yu. L. Bessonov, V. I. Borodulin, N. A. Vagner, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. S. Semenov, A. B. Sergeev, O. A. Utkina, “Injection heterolaser with a short resonator”, Sov J Quantum Electron, 9:2 (1979), 243–245] 6
37. И. Г. Гончаров, А. П. Грачев, К. Б. Дедушенко, М. В. Зверков, В. А. Коваленко, В. П. Коняев, “Временные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 6:1 (1979),  249–254  mathnet [I. G. Goncharov, A. P. Grachev, K. B. Dedushenko, M. V. Zverkov, V. A. Kovalenko, V. P. Konyaev, “Temporal and spectral characteristics of a distributed–feedback semiconductor laser pumped by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 9:1 (1979), 136–139]
38. И. Г. Гончаров, А. П. Грачев, К. Б. Дедушенко, М. В. Зверков, В. П. Коняев, “О выводе излучения из полупроводникового лазера с распределенной обратной связью, возбуждаемого электронным пучком”, Квантовая электроника, 6:1 (1979),  104–108  mathnet [I. G. Goncharov, A. P. Grachev, K. B. Dedushenko, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, “Coupling radiation out of a distributed-feedback semiconductor laser excited by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 9:1 (1979), 58–60]
1978
39. В. И. Бородулин, Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, А. П. Грачев, К. Б. Дедушенко, М. В. Зверков, В. П. Коняев, С. А. Пашко, “Полупроводниковые РОС-лазеры, работающие в высших порядках брегговского взаимодействия”, Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2654–2656  mathnet [V. I. Borodulin, Yu. A. Bykovskiǐ, I. G. Goncharov, A. P. Grachev, K. B. Dedushenko, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, S. A. Pashko, “Distributed-feedback semiconductor lasers operating in higher Bragg interaction orders”, Sov J Quantum Electron, 8:12 (1978), 1500–1501]
1974
40. В. И. Бородулин, В. П. Коняев, Г. Н. Малявкина, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. А. Прудникова, В. И. Швейкин, “Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью”, Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1220–1222  mathnet [V. I. Borodulin, V. P. Konyaev, G. N. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. A. Prudnikova, V. I. Shveikin, “Investigation of injection lasers with a wide active region”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 670–671] 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024