|
Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 7, страницы 633–639
(Mi qe144)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 33 научных статьях (всего в 33 статьях)
Лазеры и мазеры
Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления
Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
В результате экспериментальных исследований обнаружены аномалии в ватт-амперных характеристиках и модуляция спектра усиления, а также особенности картины излучения в дальнем поле гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs. Теоретически показано, что излучательные характеристики таких лазеров определяются их волноводными свойствами, зависящими от толщины и состава эмиттерных слоев, и обусловлены "вытеканием" поля из волновода.
Поступила в редакцию: 22.11.1993
Образец цитирования:
Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин, “Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления”, Квантовая электроника, 21:7 (1994), 633–639 [Quantum Electron., 24:7 (1994), 581–587]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe144 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i7/p633
|
|