|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
1. |
С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик, “Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 53:9 (2023), 689–694 |
2. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Г. Т. Микаелян, В. А. Панарин, “Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку”, Квантовая электроника, 53:7 (2023), 519–526 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, G. T. Mikayelyan, V. A. Panarin, “Structure of axial modes of a diode laser with an external cavity containing a volume phase grating”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1169–S1180] |
|
2022 |
3. |
А. П. Богатов, В. В. Васильев, М. И. Васьковская, В. Л. Величанский, А. Е. Дракин, С. А. Зибров, К. М. Сабакарь, Е. А. Цыганков, Д. С. Чучелов, “Оптический метод определения амплитуды СВЧ модуляции тока диодных лазеров с вертикальным резонатором”, Квантовая электроника, 52:10 (2022), 895–898 [A. P. Bogatov, V. V. Vasil'ev, M. I. Vas'kovskaya, V. L. Velichansky, A. E. Drakin, S. A. Zibrov, K. M. Sabakar, Е. А. Tsygankov, D. S. Chuchelov, “Optical method for determining the amplitude of microwave current modulation in vertical-cavity surface emitting lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S163–S168] |
4. |
В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов, “Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 789–793 [V. A. Panarin, G. T. Mikayelyan, I. V. Galushka, N. N. Begletsova, I. A. Zimin, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, A. P. Bogatov, “High-power, narrow-band radiation source based on integrated external-cavity laser diodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S11–S17] |
1
|
5. |
Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров”, Квантовая электроника, 52:8 (2022), 728–730 [N. S. Utkov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Effect of the thickness of the passivating reactive titanium layer of mirror facets on the electrical characteristics of diode lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 49:suppl. 1 (2022), S53–S57] |
|
2019 |
6. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Когерентное сложение оптических пучков диодных излучателей в системе задающий генератор – зигзагообразный усилитель мощности”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1014–1018 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Coherent combining of diode laser beams in a master oscillator – zigzag slab power amplifier system”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1014–1018 ] |
2
|
7. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Роль спонтанного излучения в формировании оптического спектра диодного лазера в режиме стационарной генерации”, Квантовая электроника, 49:8 (2019), 717–727 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Role of spontaneous emission in the formation of the steady-state optical spectrum of a diode laser”, Quantum Electron., 49:8 (2019), 717–727 ] |
3
|
|
2018 |
8. |
Д. А. Заярный, А. Е. Дракин, А. А. Ионин, А. Ю. Льдов, Д. В. Синицын, Н. Н. Устиновский, И. В. Холин, “He – Ar-смесь высокого давления, возбуждаемая электронным пучком, как потенциальная активная среда лазера с оптической накачкой”, Квантовая электроника, 48:12 (2018), 1174–1178 [D. A. Zayarnyi, A. E. Drakin, A. A. Ionin, A. Yu. L'dov, D. V. Sinitsyn, N. N. Ustinovskii, I. V. Kholin, “Electron-beam-excited high-pressure He – Ar mixture as a potential active medium for an optically pumped laser”, Quantum Electron., 48:12 (2018), 1174–1178 ] |
3
|
|
2017 |
9. |
М. И. Васьковская, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором”, Квантовая электроника, 47:9 (2017), 835–841 [M. I. Vas'kovskaya, V. V. Vasil'ev, S. A. Zibrov, V. L. Velichansky, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Amplitude/phase modulation and spectrum of the vertical-cavity surface-emitting laser output”, Quantum Electron., 47:9 (2017), 835–841 ] |
11
|
10. |
Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Романов, “Распределение усиления в объеме твердотельного активного элемента мощного лазера с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 47:7 (2017), 620–626 [T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Romanov, “Gain distribution in the volume of a solid-state active element of a diode-pumped high-power laser”, Quantum Electron., 47:7 (2017), 620–626 ] |
|
2016 |
11. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, “Флуктуации выходной мощности и фазы оптического пучка диодного усилителя, обусловленные собственным спонтанным излучением”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 699–702 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, “Intrinsic spontaneous emission-induced fluctuations of the output optical beam power and phase in a diode amplifier”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 699–702 ] |
2
|
12. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, “Спектр усиленного спонтанного излучения на выходе диодного усилителя, насыщенного входной монохроматической волной”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 693–698 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, “Amplified spontaneous emission spectrum at the output of a diode amplifier saturated by an input monochromatic wave”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 693–698 ] |
3
|
|
2014 |
13. |
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, “Экспериментальное исследование диодного усилителя модулированного пучка на основе AlGaAs/GaAs, работающего в режиме глубокого насыщения усиления”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 1005–1011 [N. V. D'yachkov, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, “Experimental study of a modulated beam AlGaAs/GaAs diode amplifier operating in the highly saturated gain regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 1005–1011 ] |
6
|
14. |
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, “Диодный усилитель мощности модулированного оптического пучка”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 997–1004 [N. V. D'yachkov, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, “Diode amplifier of modulated optical beam power”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 997–1004 ] |
7
|
|
2013 |
15. |
А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, А. Е. Дракин, Т. И. Гущик, “Амплитудно-фазовая модуляция излучения в усилителе бегущей волны на основе лазерного диода”, Квантовая электроника, 43:8 (2013), 699–705 [A. P. Bogatov, N. V. D'yachkov, A. E. Drakin, T. I. Gushchik, “Amplitude and phase modulation of radiation in a travelling-wave amplifier based on a laser diode”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 699–705 ] |
5
|
|
2010 |
16. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, “Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера”, Квантовая электроника, 40:9 (2010), 782–788 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, “Performance of an optical amplifier/modulator based on a diode laser”, Quantum Electron., 40:9 (2010), 782–788 ] |
5
|
17. |
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 2. Расчет пространственного распределения температуры и порога катастрофической оптической деградации”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 589–595 [D. R. Miftakhutdinov, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Catastrophic optical degradation of the output facet of high-power single-transverse-mode diode lasers. 2. Calculation of the spatial temperature distribution and threshold of the catastrophic optical degradation”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 589–595 ] |
9
|
18. |
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 1. Физическая модель”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 583–588 [D. R. Miftakhutdinov, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Catastrophic optical degradation of the output facet of high-power single-transverse-mode diode lasers. 1. Physical model”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 583–588 ] |
12
|
|
2008 |
19. |
Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов, “Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 993–1000 [D. R. Miftakhutdinov, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Popovichev, A. P. Nekrasov, “Radiation parameters of ridge lasers at high pump currents”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 993–1000 ] |
10
|
20. |
А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 935–939 [A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, A. P. Nekrasov, V. V. Popovichev, “Optimisation of waveguide parameters of laser InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures for obtaining the maximum beam width in the resonator and the maximum output power”, Quantum Electron., 38:10 (2008), 935–939 ] |
18
|
21. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб, “Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами”, Квантовая электроника, 38:9 (2008), 805–812 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. R. Miftakhutdinov, G. T. Mikayelyan, A. N. Starodub, “Diode-array-pumped repetitively pulsed neodymium phosphate glass laser”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 805–812 ] |
1
|
22. |
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Д. Р. Мифтахутдинов, “Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора”, Квантовая электроника, 38:1 (2008), 16–22 [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, D. R. Miftakhutdinov, “Modes of a semiconductor rectangular microcavity”, Quantum Electron., 38:1 (2008), 16–22 ] |
2
|
|
2006 |
23. |
С. А. Плисюк, Д. В. Батрак, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения”, Квантовая электроника, 36:11 (2006), 1058–1064 [S. A. Plisyuk, D. V. Batrak, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of emission characteristics and optimisation of waveguiding parameters of a ridge semiconductor heterolaser to maximise the emission brightness”, Quantum Electron., 36:11 (2006), 1058–1064 ] |
12
|
24. |
Д. Р. Мифтахутдинов, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, “Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 751–757 [D. R. Miftakhutdinov, D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, “Autocorrelation function and emission spectrum of single-transverse-mode heterolasers in the self-sustained intensity pulsation regime”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 751–757 ] |
1
|
25. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. В. Батрак, Р. Гютер, К. Пашке, Х. Венцель, “Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 745–750 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. V. Batrak, R. Güther, K. Paschke, H. Wenzel, “Spectral properties of a semiconductor α-DFB laser cavity”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 745–750 ] |
3
|
26. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб, “Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц”, Квантовая электроника, 36:4 (2006), 302–308 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, D. R. Miftakhutdinov, V. I. Stadnichuk, A. N. Starodub, “Efficiency of resonance pumping and optical gain in a Nd-doped phosphate glass excited by diode arrays”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 302–308 ] |
3
|
|
2005 |
27. |
С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов, “Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 515–519 [S. A. Plisyuk, I. V. Akimova, A. E. Drakin, A. V. Borodaenko, A. A. Stratonnikov, V. V. Popovichev, A. P. Bogatov, “Quality of the optical beam of a high-power, single-mode, 0.81-μm ridge AlGaAs heterolaser”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 515–519 ] |
1
|
28. |
Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм”, Квантовая электроника, 35:4 (2005), 316–322 [D. V. Batrak, S. A. Bogatova, A. V. Borodaenko, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of the material gain in quantum-well InGaAs layers used in 1.06-μm heterolasers”, Quantum Electron., 35:4 (2005), 316–322 ] |
6
|
|
2002 |
29. |
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1099–1104 [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104 ] |
21
|
30. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 809–814 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814 ] |
4
|
|
2001 |
31. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Лях, А. А. Стратонников, “Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки”, Квантовая электроника, 31:10 (2001), 847–852 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Lyakh, A. A. Stratonnikov, “Dependence of the radiation pattern of a leaky-mode, quantum-well heterolaser on the pump current”, Quantum Electron., 31:10 (2001), 847–852 ] |
5
|
|
2000 |
32. |
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом”, Квантовая электроника, 30:10 (2000), 878–880 [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Optical loss in strained quantum-well semiconductor ridge lasers”, Quantum Electron., 30:10 (2000), 878–880 ] |
1
|
33. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, В. П. Коняев, “Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме”, Квантовая электроника, 30:5 (2000), 401–405 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, V. P. Konyaev, “Brightness and filamentation of a beam from powerful cw quantum-well In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs lasers”, Quantum Electron., 30:5 (2000), 401–405 ] |
22
|
34. |
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 315–320 [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, M. A. Belkin, V. P. Konyaev, “Experimental study of the α-factor in InGaAs/AlGaAs/GaAs strained quantum-well lasers”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 315–320 ] |
5
|
|
1999 |
35. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, Ю. С. Алавердян, А. В. Устинов, В. И. Швейкин, “Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде”, Квантовая электроника, 27:2 (1999), 131–133 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, Yu. S. Alaverdyan, A. V. Ustinov, V. I. Shveikin, “Experimental determination of the factor representing spontaneous emission into a mode of a semiconductor laser operating on a leaky wave”, Quantum Electron., 29:5 (1999), 410–412 ] |
4
|
36. |
В. И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко, “Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 33–36 [V. I. Shveikin, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, Yu. V. Kurnyavko, “Angular distribution of the radiation from quantum-well ‘leaky-wave' InGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 33–36 ] |
11
|
37. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. И. Швейкин, “Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 28–32 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. I. Shveikin, “Efficiency and intensity distribution in a semiconductor laser operating in the ‘leaky' regime”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 28–32 ] |
6
|
|
1998 |
38. |
И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 647–650 [I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Dynamics of the optical damage of output mirrors of ridge semiconductor lasers based on strained quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 629–632 ] |
5
|
39. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. Р. Медведев, А. В. Устинов, “Расчет постоянной распространения лазерной моды в многослойных квантоворазмерных гетероструктурах с помощью метода «набегающей» волны”, Квантовая электроника, 25:6 (1998), 488–492 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. R. Medvedev, A. V. Ustinov, “Calculation of the propagation constant of a laser mode in multilayer quantum-well heterostructures by the ‘incoming' wave method”, Quantum Electron., 28:6 (1998), 474–477 ] |
2
|
|
1996 |
40. |
П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды”, Квантовая электроника, 23:4 (1996), 307–310 [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Self-distribution of the current in laser diodes and its possible use for reducing the optical nonlinearity of the active medium”, Quantum Electron., 26:4 (1996), 299–302 ] |
5
|
|
1995 |
41. |
П. Г. Елисеев, Г. Байстер, А. Е. Дракин, И. В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан, “Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем”, Квантовая электроника, 22:4 (1995), 309–320 [P. G. Eliseev, G. Beister, A. E. Drakin, I. V. Akimova, G. Erbert, J. Maege, J. Sebastian, “Power hysteresis and waveguide bistability of stripe quantum-well InGaAsGaAsGaAIAs heterolasers with a strained active layer”, Quantum Electron., 25:4 (1995), 291–301 ] |
1
|
|
1992 |
42. |
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960 ] |
4
|
|
1989 |
43. |
И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462 [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306 ] |
|
1988 |
44. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171–2172 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363 ] |
40
|
|
1987 |
45. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|
1986 |
46. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397 ] |
2
|
|
1985 |
47. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870 ] |
26
|
|
1984 |
48. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
49. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441 ] |
3
|
50. |
М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633 [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432 ] |
1
|
51. |
П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 11:1 (1984), 178–181 [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Qualitative analysis of the threshold current of quantum-size semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:1 (1984), 119–121 ] |
9
|
|
1982 |
52. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
|
1980 |
53. |
Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96 [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53 ] |
9
|
|
1978 |
54. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
|