|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1152–1165  [S. O. Slipchenko, D. A. Veselov, V. V. Zolotarev, A. V. Lyutetskiy, A. A. Podoskin, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power laser diodes based on InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs heterostructures with low internal optical losses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512] |
7
|
|
2021 |
| 2. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Л. В. Асрян, “Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1229–1235  |
| 3. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 460–465 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Analysis of the threshold conditions and lasing efficiency of internally circulating modes in large rectangular cavities based on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 55:5 (2021), 518–523 |
|
2020 |
| 4. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 484–489 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Switching control model of closed-mode structures in large rectangular cavities based on AlGaAs/InGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 54:5 (2020), 581–586 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 839–843 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Сlosed mode features in rectangular resonators based on InGaAs/AlGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 828–832 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 998–1003 ; Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers”, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964 |
14
|
|
2016 |
| 7. |
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Ю. К. Бобрецова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1414–1419 ; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, Yu. K. Bobretsova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402 |
8
|
| 8. |
З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 679–682 ; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 |
5
|
| 9. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781   ] |
6
|
|
2015 |
| 10. |
В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1091–1097 [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Ya. V. Lubyanskiy, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Integrated high-order surface diffraction gratings for diode lasers”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1091–1097 ] |
18
|
| 11. |
Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883 [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883 ] |
2
|
| 12. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606 ] |
15
|
| 13. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 597–600 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600 ] |
20
|
|
2014 |
| 14. |
Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 993–996 [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996 ] |
40
|
| 15. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 801–805 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805 ] |
3
|
|
2013 |
| 16. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 428–432 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432 ] |
2
|
|
1989 |
| 17. |
З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни
в квантово-размерных структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1806–1812 |
|
1988 |
| 18. |
З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, Ал. Л. Эфрос, “Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров
в квантовой яме конечной глубины”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2124–2130 |
| 19. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, С. Н. Жигулин, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики
квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1035–1039 |
|
1986 |
| 20. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм
($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 210–215 |
2
|
|
1985 |
| 21. |
И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО
InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1496–1498 |
| 22. |
В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО
InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными
областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1420–1423 |
| 23. |
Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, С. Ю. Карпов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчет пороговых токов для
InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 449–455 |
|
1984 |
| 24. |
Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Межзонная оже-рекомбинация в лазерных структурах на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1803–1807 |
| 25. |
Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС
с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1069–1076 |
|
1983 |
| 26. |
Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчеты времен оже-процессов в твердых растворах
$p$-InGaAsP”, ЖТФ, 53:2 (1983), 315–319 |
| 27. |
Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Оже-рекомбинация в вырожденной электронно-дырочной плазме твердых
растворов InGaAsP”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 453–458 |
|
Обратная связь: