|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. Д. Кревчик, Д. О. Филатов, М. Б. Семенов, “Формирование наночастиц Au в пленках SiO$_2$–TiO$_2$ методом локального электрохимического восстановления с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 3, 116–126  |
| 2. |
В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, “Влияние температуры на диссипативное туннелирование электронов через наночастицы Co в пленках HfO$_2$”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 2, 108–121 |
|
2022 |
| 3. |
Mikhail B. Semenov, Vladimir D. Krevchik, Dmitry O. Filatov, Dmitry A. Antonov, Alexey V. Shorokhov, Alexander P. Shkurinov, Ilya A. Ozheredov, Pavel V. Krevchik, Alexey V. Razumov, Alexey S. Kotov, Ilya S. Antonov, Ivan M. Semenov, “Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:6 (2022), 621–627  |
|
2021 |
| 4. |
Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, А. С. Новиков, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1474–1478 |
| 5. |
М. Б. Семенов, В. Д. Кревчик, Д. О. Филатов, А. В. Шорохов, А. П. Шкуринов, И. А. Ожередов, П. В. Кревчик, Y. H. Wang, T. R. Li, A. K. Malik, М. О. Марычев, Н. В. Байдусь, И. М. Семенов, “Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1431–1440 |
| 6. |
Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. А. Роженцов, М. Н. Коряжкина, А. С. Новиков, И. Н. Антонов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, О. Н. Горшков, “Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 754–757 ; D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734 |
| 7. |
В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26 |
| 8. |
Д. А. Антонов, А. С. Новиков, Д. О. Филатов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 30–32 ; D. A. Antonov, A. S. Novikov, D. O. Filatov, A. V. Kruglov, I. N. Antonov, A. V. Zdoroveyshchev, O. N. Gorshkov, “The formation of nanosized ferromagnetic Ni filaments in films of ZrO$_2$(Y)”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 539–541 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, А. И. Белов, В. Н. Баранова, М. Е. Шенина, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 556–561 ; D. O. Filatov, D. A. Antonov, I. N. Antonov, A. I. Belov, V. N. Baranova, M. E. Shenina, O. N. Gorshkov, “Resistive switching of memristors based on stabilized zirconia by complex signals”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 642–647 |
3
|
| 10. |
Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1825–1829 ; D. O. Filatov, D. A. Antonov, I. N. Antonov, M. A. Ryabova, O. N. Gorshkov, “An atomic force microscopic study of resistive switching resonance activation in ZrO$_{2}$(Y) films”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1744–1747 |
| 11. |
М. Б. Семенов, В. Д. Кревчик, Д. О. Филатов, А. В. Шорохов, А. П. Шкуринов, П. В. Кревчик, Y. H. Wang, T. R. Li, A. K. Malik, Д. А. Антонов, И. М. Семенов, “Особенности двумерных бифуркаций при диссипативном туннелировании электронов в массивах Au наночастиц”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1797–1805 ; M. B. Semenov, V. D. Krevchik, D. O. Filatov, A. V. Shorokhov, A. P. Shkurinov, P. V. Krevchik, Y. H. Wang, T. R. Li, A. K. Malik, D. A. Antonov, I. M. Semenov, “Features of two-dimensional bifurcations during dissipative electron tunneling in arrays of Au nanoparticles”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1717–1725 |
1
|
| 12. |
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749 ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676 |
| 13. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, А. Д. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, П. А. Юнин, “Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 90:5 (2020), 826–830 ; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, А. D. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, P. A. Yunin, “Atomic force microscopy examination of elementary processes in metalorganic compound hydride epitaxy of GaAs-based nanoheterostructures”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 791–794 |
| 14. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
5
|
|
2019 |
| 15. |
Д. О. Филатов, М. Н. Коряжкина, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, Д. А. Лискин, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1669–1673 ; D. O. Filatov, M. N. Koryazhkina, D. A. Antonov, I. N. Antonov, D. A. Liskin, M. A. Ryabova, O. N. Gorshkov, “Atomic-force microscopy of resistive nonstationary signal switching in ZrO$_{2}$(Y) films”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1579–1583 |
2
|
| 16. |
Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296 ; D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265 |
| 17. |
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев, “Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270 ; V. G. Shengurov, D. O. Filatov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zaitsev, “Tunnel diodes based on $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001) epitaxial structures grown by the hot-wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241 |
1
|
|
2018 |
| 18. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 88:2 (2018), 219–223 ; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, D. S. Smotrin, P. A. Yunin, “Influence of the rotation frequency of a disk substrate holder on the crystal structure characteristics of MOCVD-grown GaAs layers”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 211–215 |
1
|
| 19. |
M. B. Semenov, V. D. Krevchik, O. N. Gorshkov, D. O. Filatov, Y. Dakhnovsky, A.V. Nikolaev, A. P. Shkurinov, V. Yu. Timoshenko, P. V. Krevchik, A. K. Malik, Y. H. Wang, T. R. Li, Y. Zhu, S. Zhuang, R. V. Zaitsev, I. S. Antonov, I. M. Semenov, A. K. Aringazin, A. V. Shorokhov, Y. H. Wang, “A comparative analysis of the observed effects of 2d tunneling bifurcations for quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional au-qd systems in an external electric field”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 724–734  |
| 20. |
П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Л. Б. Матюшкин, А. В. Нежданов, А. Н. Смирнов, Д. О. Филатов, “Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 752–757 ; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, L. B. Matyshkin, A. V. Nezhdanov, A. N. Smirnov, D. O. Filatov, “Study of CsPbBr$_{3}$ nanocrystals and their agglomerates by combined scanning probe microscopy and optical spectrometry”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 858–863 |
2
|
| 21. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655 ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
1
|
| 22. |
D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 505 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 590–592 |
1
|
| 23. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
| 24. |
Д. О. Филатов, В. В. Карзанов, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, “Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 88–93 ; D. O. Filatov, V. V. Karzanov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, “Features of switching memristor structures to a high-resistance state by sawtooth pulses”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1160–1162 |
2
|
|
2017 |
| 25. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, А. П. Горшков, В. П. Мишкин, “Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 563–568 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin, “Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si $p$–$n$ photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy”, Semiconductors, 51:4 (2017), 536–541 |
1
|
|
2016 |
| 26. |
Ф. В. Кусмарцев, В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Д. О. Филатов, А. В. Шорохов, А. А. Бухараев, Ю. И. Дахновский, А.В. Николаев, Н. А. Пятаев, Р. В. Зайцев, П. В. Кревчик, И. А. Егоров, К. Ямамото, А. К. Арынгазин, “Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 406–412 ; F. V. Kusmartsev, V. D. Krevchik, M. B. Semenov, D. O. Filatov, A. V. Shorokhov, A. A. Bukharaev, Yu. I. Dakhnovsky, A.V. Nikolaev, N. A. Pyataev, R. V. Zaytsev, P. V. Krevchik, I. A. Egorov, K. Yamamoto, A. K. Aringazin, “Phonon assisted resonant tunneling and its phonons control”, JETP Letters, 104:6 (2016), 392–397  |
9
|
| 27. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
| 28. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, “Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 94–101 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, “A random telegraph signal in tunneling silicon $p$–$n$ junctions with GeSi nanoislands”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 435–437 |
| 29. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
2015 |
| 30. |
В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Д. О. Филатов, П. В. Кревчик, И. А. Егоров, М. А. Султанов, И. К. Скоросова, “Ионный и туннельный механизмы проводимости для растущих квантовых точек из коллоидного золота”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 3, 163–176 |
|
2014 |
| 31. |
В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, Д. О. Филатов, П. В. Кревчик, А. А. Бухараев, А. К. Арынгазин, “Влияние промотирующих фононных мод широкозонной матрицы на туннельные вольт-амперные характеристики полупроводниковых квантовых точек”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2014, № 2, 132–150 |
| 32. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161 |
11
|
|
2013 |
| 33. |
И. А. Зимовец, Д. О. Филатов, “Моделирование электронно-оптических процессов в диоде на основе структуры $N^+-SI/N-SI:ER/P^+-SI$ при обратном смещении и пути повышения достоверности моделирования структур”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2013, № 1(8), 11–14 |
|
2010 |
| 34. |
Ю. К. Верёвкин, В. Н. Петряков, В. Н. Буренина, Д. О. Филатов, Д. А. Воронцов, “Создание и исследование нанопористых пленок двуокиси титана методом импульсной интерференционной литографии”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 925–927 [Yu. K. Verevkin, V. N. Petryakov, V. N. Burenina, D. O. Filatov, D. A. Vorontsov, “Nanoporous titania films produced by pulsed interference lithography”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 925–927 ] |
1
|
|
2009 |
| 35. |
Е. С. Демидов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, С. А. Левчук, С. Н. Гусев, В. В. Карзанов, Д. О. Филатов, “Аномальный ферромагнитный резонанс в осажденных из лазерной плазмы слоях германия, легированного марганцем и алюминием”, Письма в ЖЭТФ, 90:12 (2009), 852–855 ; E. S. Demidov, V. V. Podol'skii, V. P. Lesnikov, S. A. Levchuk, S. N. Gusev, V. V. Karzanov, D. O. Filatov, “Anomalous ferromagnetic resonance in manganese- and aluminum-doped germanium layers deposited from the laser plasma”, JETP Letters, 90:12 (2009), 754–757 |
1
|
|
|
| 36. |
В. Ч. Жуковский, О. Н. Горшков, В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Ю. Г. Смирнов, Е. В. Чупрунов, В. А. Рудин, Н. Ю. Скибицкая, П. В. Кревчик, Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, М. А. Лапшина, М. Е. Шенина, Я. Кенджи, “Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2, 123–135 |
|
Обратная связь: