|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Н. С. Волковаa, А. П. Горшковa, Д. О. Филатовb, Д. С. Абрамкинc a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Предложена модель процесса эмиссии фотовозбужденных электронов
и дырок из массива квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Для
эффективности эмиссии получено аналитическое выражение, учитывающее
термическую эмиссию носителей в матрицу GaAs и в 2D-состояния
смачивающего слоя InAs, туннельную и термоактивированную
туннельную эмиссию, а также электронный обмен между уровнями
размерного квантования в зоне проводимости InAs. Экспериментально
исследованы температурные зависимости фоточувствительности в области
основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых
точках InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии.
Определен ряд параметров квантовых точек, при которых наблюдается
хорошее согласие экспериментальных данных и результатов
теоретического расчета.
Поступила в редакцию: 19.06.2014
Образец цитирования:
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180; JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3792 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i3/p175
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 301 | PDF полного текста: | 52 | Список литературы: | 35 | Первая страница: | 23 |
|