Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 100, выпуск 3, страницы 175–180
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1415003X (Mi jetpl3792) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией

Н. С. Волковаa, А. П. Горшковa, Д. О. Филатовb, Д. С. Абрамкинc

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (405 kB) Список цитирования (11)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1415003X
Аннотация: Предложена модель процесса эмиссии фотовозбужденных электронов и дырок из массива квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Для эффективности эмиссии получено аналитическое выражение, учитывающее термическую эмиссию носителей в матрицу GaAs и в 2D-состояния смачивающего слоя InAs, туннельную и термоактивированную туннельную эмиссию, а также электронный обмен между уровнями размерного квантования в зоне проводимости InAs. Экспериментально исследованы температурные зависимости фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Определен ряд параметров квантовых точек, при которых наблюдается хорошее согласие экспериментальных данных и результатов теоретического расчета.
Поступила в редакцию: 19.06.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 100, Issue 3, Pages 156–161
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014150144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180; JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolGorFil14}
\by Н.~С.~Волкова, А.~П.~Горшков, Д.~О.~Филатов, Д.~С.~Абрамкин
\paper Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 3
\pages 175--180
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3792}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X1415003X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21997944}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 3
\pages 156--161
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014150144}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000343708300003}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24027614}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84920191203}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3792
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i3/p175
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:301
    PDF полного текста:52
    Список литературы:35
    Первая страница:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024