Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 6, страницы 406–412
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16180065 (Mi jetpl5067) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль

Ф. В. Кусмарцевa, В. Д. Кревчикb, М. Б. Семеновb, Д. О. Филатовc, А. В. Шороховd, А. А. Бухараевef, Ю. И. Дахновскийg, А.В. Николаевhi, Н. А. Пятаевd, Р. В. Зайцевb, П. В. Кревчикb, И. А. Егоровb, К. Ямамотоj, А. К. Арынгазинk

a Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom
b Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Мордовский государственный университет им. Огарёва, 430005 Саранск, Россия
e Казанский физико-технический институт им. Завойского Казанского научного центра РАН, 420029 Казань, Россия
f Казанский федеральный университет, 420008 Казань, Россия
g University of Wyoming, Laramie, WY 82071, USA
h Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Скобельцына МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
i Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
j Research Institute, International Medical Center, 2-25-22-304 Kohinata Bunkyo-ku, Tokyo, Japan
k iИнститут фундаментальных исследований Евразийского национального университета им. Гумилева, 010008 Астана, Казахстан
PDF полного текста (600 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16180065
Аннотация: Экспериментально обнаружена серия острых резонансных особенностей в туннельной дифференциальной проводимости InAs квантовых точек. Показано, что эти особенности связаны с диссипативным квантовым туннелированием, которое оказывает сильное влияние на работу наноустройств. Из-за данного туннелирования вольт-амперная характеристика (ВАХ) туннельного контакта, созданного между наконечником зонда атомно-силового микроскопа и поверхностью InAs/GaAs квантовых точек, демонстрирует много интересных пиков. Найдено, что число, положение и высота данных пиков связаны с вовлеченными фононными модами. Для теоретического описания данного эффекта мы используем квазиклассическое приближение. В этом подходе туннельный ток связан с созданием разреженного инстантон-антиинстантонного газа. Наши экспериментальные данные хорошо описываются с помощью точно решаемой модели, в которой одна заряженная частица слабо взаимодействует с двумя фононными модами, связанными с внешней средой. Мы заключаем, что характеристики наноэлектронных устройств могут быть контролируемы подходящим выбором фононов, определяемых используемыми материалами.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Республики Казахстан
Министерство образования и науки Российской Федерации
А.К.А., М.Б.С. и В.Д.К. благодарны комитету по науке Министерства образования и науки Казахстана за частичную финансовую грантовую поддержку. Часть данной работы была сделана в рамках государственного задания высшим учебным заведениям и научным организациям в сфере научной деятельности Министерства образования и науки Российской Федерации.
Поступила в редакцию: 12.02.2016
Исправленный вариант: 01.08.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 6, Pages 392–397
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016180016
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. В. Кусмарцев, В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Д. О. Филатов, А. В. Шорохов, А. А. Бухараев, Ю. И. Дахновский, А.В. Николаев, Н. А. Пятаев, Р. В. Зайцев, П. В. Кревчик, И. А. Егоров, К. Ямамото, А. К. Арынгазин, “Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 406–412; JETP Letters, 104:6 (2016), 392–397
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KusKreSem16}
\by Ф.~В.~Кусмарцев, В.~Д.~Кревчик, М.~Б.~Семенов, Д.~О.~Филатов, А.~В.~Шорохов, А.~А.~Бухараев, Ю.~И.~Дахновский, А.В.~Николаев, Н.~А.~Пятаев, Р.~В.~Зайцев, П.~В.~Кревчик, И.~А.~Егоров, К.~Ямамото, А.~К.~Арынгазин
\paper Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 6
\pages 406--412
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5067}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16180065}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26625558}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 6
\pages 392--397
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016180016}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000390022200006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84987625519}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5067
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i6/p406
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024