|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, М. Н. Дроздов, Д. А. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Кудрин, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1245–1252   ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, M. N. Drozdov, D. A. Zdoroveishchev, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, “Pulsed laser irradiation of light-emitting structures with a (Ga,Mn)As layer”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1593–1600 |
| 2. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Action of excimer laser pulses on light-emitting InGaAs/GaAs structures with a (Ga,Mn)As-layer”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434 |
2
|
| 3. |
Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Нежданов, Д. А. Здоровейщев, В. П. Лесников, А. И. Машин, “Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 773–778 ; Yu. M. Kuznetsov, M. V. Dorokhin, A. V. Nezhdanov, D. A. Zdoroveishchev, V. P. Lesnikov, A. I. Mashin, “Method for forming films of the $\beta$-FeSi$_2$ phase by pulsed laser deposition in vacuum”, Semiconductors, 55:9 (2021), 749–754 |
| 4. |
Ю. А. Данилов, А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Д. А. Здоровейщев, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, М. Н. Дроздов, “Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 637–643 ; Yu. A. Danilov, A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, D. A. Zdoroveishchev, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, M. N. Drozdov, “Doping of carbon layers grown by the pulsed laser technique”, Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666 |
|
2020 |
| 5. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Pulsed laser irradiation of GaAs-based light-emitting structures”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1598–1604 |
4
|
| 6. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
1
|
| 7. |
О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137 ; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 |
4
|
|
2019 |
| 8. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, А. И. Машин, Е. Е. Морозова, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, “Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1360–1365 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 |
1
|
| 9. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
|
2018 |
| 10. |
П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Л. Б. Матюшкин, А. В. Нежданов, А. Н. Смирнов, Д. О. Филатов, “Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 752–757 ; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, L. B. Matyshkin, A. V. Nezhdanov, A. N. Smirnov, D. O. Filatov, “Study of CsPbBr$_{3}$ nanocrystals and their agglomerates by combined scanning probe microscopy and optical spectrometry”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 858–863 |
2
|
| 11. |
А. В. Ромашкин, А. А. Мурзанев, А. М. Киселев, А. И. Корытин, М. А. Кудряшов, А. В. Нежданов, Л. А. Мочалов, А. И. Машин, А. Н. Степанов, “Структурная модификация фемтосекундным лазерным излучением пленок халькогенидного стекла As$_{50}$S$_{50}$, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы”, Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018), 706–712 ; A. V. Romashkin, A. A. Murzanev, A. M. Kiselev, A. I. Korytin, M. A. Kudryashov, A. V. Nezhdanov, L. A. Mochalov, A. I. Mashin, A. N. Stepanov, “Structural modification of pecvd As$_{50}$S$_{50}$ chalcogenide-glass films by femtosecond laser radiation”, Optics and Spectroscopy, 124:5 (2018), 741–747 |
2
|
| 12. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, “Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1331–1336 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 |
3
|
|
2017 |
| 13. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A$^{3}$B$^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154 |
6
|
| 14. |
Д. А. Грачев, А. В. Ершов, И. А. Карабанова, А. В. Пирогов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. А. Павлов, “Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 965–971 ; D. A. Grachev, A. V. Ershov, I. A. Karabanova, A. V. Pirogov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, “Influence of the deposition and annealing temperatures on the luminescence of germanium nanocrystals formed in GeO$_{x}$ films and multilayer Ge/SiO$_{2}$ structures”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 992–998 |
| 15. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1510–1513 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Cleaved-edge photoluminescence spectroscopy of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1456–1459 |
1
|
|
2016 |
| 16. |
М. А. Кудряшов, А. И. Машин, А. В. Нежданов, А. А. Логунов, Т. А. Грачева, Т. А. Кузьмичева, G. Chidichimo, G. De Filpo, “Структура и оптические свойства нанокомпозитов серебро/полиакрилонитрил”, ЖТФ, 86:11 (2016), 80–85 ; M. A. Kudryashov, A. I. Mashin, A. V. Nezhdanov, A. A. Logunov, T. A. Gracheva, T. A. Kuz'micheva, G. Chidichimo, G. De Filpo, “Structure and optical properties of the silver/polyacrylonitrile nanocomposites”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1684–1688 |
4
|
| 17. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, N. Yu. Konnova, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1539–1542 |
5
|
| 18. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
| 19. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
| 20. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
Обратная связь: