|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 274–278
(Mi phts6552)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Д. С. Королевa, А. Н. Михайловa, А. И. Беловa, В. К. Васильевa, Д. В. Гусейновa, Е. В. Окуличa, А. А. Шемухинb, С. И. Суродинa, Д. Е. Николичевa, А. В. Неждановa, А. В. Пироговa, Д. А. Павловa, Д. И. Тетельбаумa a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
Аннотация:
Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие $\sim$25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.
Поступила в редакцию: 28.05.2015 Принята в печать: 15.06.2015
Образец цитирования:
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278; Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6552 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p274
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 11 |
|