Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 129–137
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48892.9264
(Mi phts5275)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства

О. М. Среселиa, Н. А. Бертa, В. Н. Неведомскийa, А. И. Лихачевa, И. Н. Яссиевичa, А. В. Ершовb, А. В. Неждановb, А. И. Машинb, Б. А. Андреевc, А. Н. Яблонскийc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Структуры с наночастицами (квантовыми точками) Ge/Si в матрице оксида алюминия интересны для исследователей благодаря сочетанию двух основных полупроводников, а также использованию матрицы с высокой диэлектрической проницаемостью и сильной связью кислорода с металлом. В работе изготовлены многослойные нанопериодические структуры в последовательности подложка/Al$_{2}$O$_{3}$/Ge/Si/Al$_{2}$O$_{3}$ $\dots$ Al$_{2}$O$_{3}$ (период – Al$_{2}$O$_{3}$/Ge/Si, число периодов – до 20), которые затем отжигались при разных температурах. Показано, что после отжига в структурах наблюдаются кристаллические частицы и Ge, и Si, размеры и количество которых определяются толщиной напыленных слоев и температурой отжига. Полученные различными оптическими методиками результаты свидетельствуют о квантово-размерном эффекте в структурах, что подтверждено микроскопией высокого разрешения.
Ключевые слова: многослойные наноструктуры, квантовые точки ядро–оболочка, Ge/Si.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-54002
Работа выполнялась в рамках программы совместных российско-вьетнамских исследований и поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований, № 18-52-54002.
Поступила в редакцию: 24.09.2019
Исправленный вариант: 30.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 181–189
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137; Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SreBerNev20}
\by О.~М.~Сресели, Н.~А.~Берт, В.~Н.~Неведомский, А.~И.~Лихачев, И.~Н.~Яссиевич, А.~В.~Ершов, А.~В.~Нежданов, А.~И.~Машин, Б.~А.~Андреев, А.~Н.~Яблонский
\paper Квантовые точки ``ядро--оболочка'' Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 129--137
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5275}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48892.9264}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571086}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 181--189
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5275
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p129
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024