Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1510–1513
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45101.15 (Mi phts5998) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур

С. М. Планкинаa, О. В. Вихроваb, Б. Н. Звонковb, А. В. Неждановa, И. Ю. Пашенькинa

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (159 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45101.15
Аннотация: Показана возможность комплексного применения фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния в режиме латерального сканирования поперечных сколов гетероструктур для контроля распределения напряжений, определения толщины эпитаксиальных слоев и состава твердых растворов. Указанным способом исследованы свойства лазерной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP. Продемонстрирована возможность дифференцированно регистрировать фотолюминесцентное излучение от различных слоев структуры. Установлено, что определение состава твердого раствора In$_{x}$Ga$_{1-x}$P по частотному положению InP-подобной моды и по энергии фотолюминесценции дает близкие значения.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1456–1459
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110239
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1510–1513; Semiconductors, 51:11 (2017), 1456–1459
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlaVikZvo17}
\by С.~М.~Планкина, О.~В.~Вихрова, Б.~Н.~Звонков, А.~В.~Нежданов, И.~Ю.~Пашенькин
\paper Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1510--1513
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5998}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45101.15}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546391}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1456--1459
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110239}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5998
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1510
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024