Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники

Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge-микроструктур (“микромостиков”) на основе слоев Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge-микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах формируемой микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинационного рассеяния света показали увеличение деформации растяжения с 0.2–0.25% в исходной Ge-пленке до 2.4% в Ge-микромостиках. Методом спектроскопии микрофотолюминесценции продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge-микромостиках и их окрестностях по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоев Ge.