|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. А. Грудинкин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Зависимость характеристик узких линий люминесценции в наноалмазах от параметров возбуждения и температуры”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1126–1131   ; S. A. Grudinkin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Dependence of the characteristics of spectrally narrow luminescence lines in nanodiamonds on the excitation and temperature parameters”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1170–1175 |
| 2. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 895–900 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Modification of the electronic properties of the $n$-InP(100) surface with sulfide solutions”, Semiconductors, 55:11 (2021), 844–849 |
1
|
| 3. |
М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 882–889 |
|
2020 |
| 4. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1726–1730 ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 |
2
|
| 5. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 462–471 ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 |
5
|
| 6. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1397 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709 |
| 7. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1388 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677 |
| 8. |
А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840 ; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998 |
|
2019 |
| 9. |
Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1374–1384 ; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 |
10
|
| 10. |
V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1519 ; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 |
1
|
| 11. |
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1395–1400 ; B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 |
2
|
| 12. |
С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1152–1158 ; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 |
9
|
| 13. |
Д. А. Курдюков, Н. А. Феоктистов, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1068–1073 ; D. A. Kurdyukov, N. A. Feoktistov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse submicrometer spherical nanoporous silicon particles”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1048–1053 |
3
|
|
2018 |
| 14. |
М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1423–1430 ; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 |
13
|
| 15. |
S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 95–97  |
2
|
| 16. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 17. |
V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 |
2
|
| 18. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 |
11
|
|
2017 |
| 19. |
В. Г. Голубев, С. А. Грудинкин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Н. А. Феоктистов, “Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2382–2386 ; V. G. Golubev, S. A. Grudinkin, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, N. A. Feoktistov, “New luminescence lines in nanodiamonds obtained by chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2407–2412 |
2
|
| 20. |
Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1066–1070 ; D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086 |
| 21. |
П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1594–1598 ; P. A. Bushuikin, A. V. Novikov, B. A. Andreev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, E. V. Demidov, G. M. Savchenko, V. Yu. Davydov, “Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541 |
| 22. |
В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124 ; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 |
49
|
| 23. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123 ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
2
|
| 24. |
С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 64–72 ; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 |
7
|
|
2016 |
| 25. |
М. А. Просников, А. Д. Молчанова, Р. М. Дубровин, К. Н. Болдырев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. М. Балбашов, М. Н. Попова, Р. В. Писарев, “Динамика решетки и электронная структура кобальт-титановой шпинели Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2427–2433 ; M. A. Prosnikov, A. D. Molchanova, R. M. Dubrovin, K. N. Boldyrev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. M. Balbashov, M. N. Popova, R. V. Pisarev, “Lattice dynamics and electronic structure of cobalt–titanium spinel Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2516–2522 |
10
|
| 26. |
Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2175–2179 ; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 |
2
|
| 27. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1432–1435 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 |
2
|
| 28. |
А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016), 135–139 ; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 |
16
|
| 29. |
I. Alieva, I. Kireev, A. Rakhmanina, A. Garanina, O. Strelkova, O. Zhironkina, V. Cherepaninets, V. Davydov, V. Khabashesku, V. Agafonov, R. Uzbekov, “Magnet-induced behavior of iron carbide (Fe7C3@C) nanoparticles in the cytoplasm of living cells”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016), 158–160 |
2
|
| 30. |
Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, “Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1064–1069 ; D. V. Pankin, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, “Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1043–1048 |
4
|
| 31. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
4
|
| 32. |
О. С. Кен, В. С. Левицкий, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, В. Ю. Давыдов, О. М. Сресели, “Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 423–430 ; O. S. Ken, V. S. Levitskii, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, V. Yu. Davydov, O. M. Sreseli, “Optical and structural properties of composite Si:Au layers formed by laser electrodispersion”, Semiconductors, 50:3 (2016), 418–425 |
2
|
| 33. |
А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, С. Н. Новиков, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. Б. Климович, М. П. Самойлович, “Биосенсоры на основе графена”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 28–35 ; A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 |
15
|
|
1992 |
| 34. |
М. В. Белоусов, И. В. Игнатьев, Н. В. Орехова, В. Ю. Давыдов, “Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$. Эксперимент и расчет”, Физика твердого тела, 34:9 (1992), 2804–2813 |
|
1989 |
| 35. |
О. В. Косогов, А. И. Акимов, М. В. Белоусов, С. В. Богачев, В. Ю. Давыдов, В. А. Ильин, С. Ф. Карманенко, А. Л. Карпей, О. В. Корнякова, В. Н. Макаров, Л. П. Получанкина, “Исследование высокотемпературных сверхпроводящих керамик и тонких пленок системы Тl$-$Ba$-$Ca$-$Cu$-$O”, Физика твердого тела, 31:10 (1989), 295–297 |
|
1987 |
| 36. |
В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Колебательный спектр кристаллов KDA и RDA в сегнетоэлектрической фазе”, Физика твердого тела, 29:4 (1987), 1060–1066 |
|
1986 |
| 37. |
В. Ю. Давыдов, È. В. Числер, “Спектры комбинационного рассеяния при гелиевой температуре сегнетоэлектриков KDP и DKDP, монодоменизированных электрическим полем”, Физика твердого тела, 28:11 (1986), 3249–3261 |
|
1984 |
| 38. |
В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Высокочастотные колебания протонной и дейтронной подрешеток в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и KD$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2086–2091 |
| 39. |
В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Влияние дейтерирования на интенсивность спектра комбинационного рассеяния и динамику водородных связей в сегнетоэлектрике KH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:4 (1984), 1010–1012 |
| 40. |
В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Деформационные колебания водородной связи в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и RbH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:2 (1984), 367–371 |
|
Обратная связь: