Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 711–716 (Mi phts6478)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках

М. В. Виркоa, В. С. Коготковa, А. А. Леонидовa, В. В. Вороненковb, Ю. Т. Ребанеb, А. С. Зубриловb, Р. И. Горбуновb, Ф. Е. Латышевb, Н. И. Бочкареваb, Ю. С. Леликовb, Д. В. Тархинb, А. Н. Смирновb, В. Ю. Давыдовb, Ю. Г. Шретерb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1304 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Рассмотрены физические и технологические основы метода отделения слабо и умеренно легированных пленок $n$-GaN от сильно легированных подложек $n^{+}$-GaN. В основе метода отделения лежит эффект поглощения лазерного ИК излучения на свободных носителях заряда, которое значительно сильнее в $n^{+}$-GaN пленках.
Поступила в редакцию: 22.10.2015
Принята в печать: 26.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 699–704
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716; Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VirKogLeo16}
\by М.~В.~Вирко, В.~С.~Коготков, А.~А.~Леонидов, В.~В.~Вороненков, Ю.~Т.~Ребане, А.~С.~Зубрилов, Р.~И.~Горбунов, Ф.~Е.~Латышев, Н.~И.~Бочкарева, Ю.~С.~Леликов, Д.~В.~Тархин, А.~Н.~Смирнов, В.~Ю.~Давыдов, Ю.~Г.~Шретер
\paper Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 711--716
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6478}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368900}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 699--704
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6478
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p711
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024