|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1064–1069
(Mi phts6387)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
Д. В. Панькинab, М. Б. Смирновa, В. Ю. Давыдовc, А. Н. Смирновc, Е. Е. Заваринc, В. В. Лундинc a Санкт-Петербургский государственный университет
b Ресурсный центр "Оптические и лазерные методы исследования вещества",
Санкт-Петербургский государственный университет
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
C использованием модели диэлектрического континуума установлена корреляция между частотами делокализованных фононов симметрии $A$(TO) и $E$(LO) в рамановских спектрах короткопериодных AlN/GaN сверхрешеток и отношением толщин слоев структуры. Показано, что упругие деформации, возникающие в материалах слоев при росте сверхрешеток, слабо влияют на вид корреляционной зависимости между частотами мод $A$(TO) и $E$(LO), имеющих высокую интенсивность в рамановских спектрах, и структурным параметром, определяющим отношения толщин слоев. Результаты расчетов фононных частот хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными и могут быть использованы для спектроскопической диагностики AlN/GaN сверхрешеток.
Поступила в редакцию: 08.02.2016 Принята в печать: 11.02.2016
Образец цитирования:
Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, “Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1064–1069; Semiconductors, 50:8 (2016), 1043–1048
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6387 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1064
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 11 |
|