Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN

C использованием модели диэлектрического континуума установлена корреляция между частотами делокализованных фононов симметрии $A$(TO) и $E$(LO) в рамановских спектрах короткопериодных AlN/GaN сверхрешеток и отношением толщин слоев структуры. Показано, что упругие деформации, возникающие в материалах слоев при росте сверхрешеток, слабо влияют на вид корреляционной зависимости между частотами мод $A$(TO) и $E$(LO), имеющих высокую интенсивность в рамановских спектрах, и структурным параметром, определяющим отношения толщин слоев. Результаты расчетов фононных частот хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными и могут быть использованы для спектроскопической диагностики AlN/GaN сверхрешеток.