Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 423–430 (Mi phts6527)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием

О. С. Кен, В. С. Левицкий, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, В. Ю. Давыдов, О. М. Сресели

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы композитные слои Si–Au, полученные методом лазерного электродиспергирования с различными соотношениями Si : Au. Исследована микроскопическая структура слоев, измерены спектры комбинационного рассеяния света, оптического пропускания и отражения слоев. Показано, что распыление двухкомпонентной мишени Si–Au сильно изменяет морфологию слоев. С увеличением содержания золота в мишени слои становятся неоднородными, появляется большое количество включений, содержащих нанокристаллы кремния и некоторое количество золота. Включения при распылении двухкомпонентной мишени, скорее всего, образуются из больших расплавленных капель, вылетевших из мишени и не успевших разделиться до нанометровых размеров. Нанокристаллическая структура включений объяснена медленным и неоднородным процессом охлаждения частиц на подложке. Сделан вывод, что изменения спектров и фоточувствительности гетероструктур с исследованными слоями вызваны образованием включений, содержащих нанокристаллы кремния с добавлением золота.
Поступила в редакцию: 17.09.2015
Принята в печать: 25.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 418–425
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Кен, В. С. Левицкий, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, В. Ю. Давыдов, О. М. Сресели, “Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 423–430; Semiconductors, 50:3 (2016), 418–425
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KenLevYav16}
\by О.~С.~Кен, В.~С.~Левицкий, Д.~А.~Явсин, С.~А.~Гуревич, В.~Ю.~Давыдов, О.~М.~Сресели
\paper Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 423--430
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6527}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668222}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 418--425
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6527
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p423
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024