|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. В. Рахлин, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, С. И. Трошков, В. М. Устинов, А. А. Торопов, “Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 592–598  ; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, A. A. Toropov, “Simulation and analysis of the optical characteristics of cylindrical micropillars with InAs/GaAs quantum dots”, JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618 |
3
|
|
2021 |
| 2. |
А. И. Галимов, М. В. Рахлин, Г. В. Климко, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Гусева, С. И. Трошков, Т. В. Шубина, А. А. Торопов, “Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений”, Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021), 248–255  ; A. I. Galimov, M. V. Rakhlin, G. V. Klimko, Yu. M. Zadiranov, Yu. A. Guseva, S. I. Troshkov, T. V. Shubina, A. A. Toropov, “Source of indistinguishable single photons based on epitaxial InAs/GaAs quantum dots for integration in quantum computing schemes”, JETP Letters, 113:4 (2021), 252–258   |
9
|
| 3. |
Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 36–38 |
|
2020 |
| 4. |
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000 ; N. M. Lebedeva, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, P. A. Ivanov, “Formation of SiC mesastructures with gently sloping sidewalls by dry selective etching through a photoresist mask”, Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960 |
3
|
|
2019 |
| 5. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 147–151 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149 |
5
|
| 6. |
Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33 ; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 |
3
|
|
2018 |
| 7. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1663–1667 ; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 |
3
|
| 8. |
E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624 |
|
2017 |
| 9. |
Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1066–1070 ; D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086 |
| 10. |
А. В. Бабичев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. А. Блохин, М. А. Бобров, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1176–1181 ; A. V. Babichev, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. Yu. Egorov, “Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1127–1132 |
2
|
| 11. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
2016 |
| 12. |
Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428 ; F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. A. Lipovskii, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411 |
5
|
| 13. |
М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1408–1413 ; M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 |
5
|
| 14. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397 ; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 |
13
|
| 15. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 16. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 57–65 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 |
5
|
| 17. |
С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79 ; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 |
3
|
| 18. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
| 19. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 86–93 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434 |
|
1992 |
| 20. |
С. А. Гуревич, А. В. Колобов, В. М. Любин, С. И. Нестеров, М. М. Кулагина, Ф. Н. Тимофеев, С. И. Трошков, “Применение маски As$_{2}$S$_{3}$/органический фоторезист
для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 85–90 |
|
1990 |
| 21. |
Ю. А. Гольдберг, Т. В. Львова, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, Б. В. Царенков, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных
структур GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1835–1840 |
| 22. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, А. Я. Шик, “Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 638–646 |
|
1989 |
| 23. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном
гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 508–516 |
|
1988 |
| 24. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Диффузия горячих фотоэлектронов в металл — эффективный механизм
потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 176–179 |
|
1987 |
| 25. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Длинноволновый край спектральной зависимости фототока
в гетеро-$p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2142–2148 |
| 26. |
Ж. И. Алфров, О. А. Мезрин, М. А. Синицын, С. И. Трошков, Б. С. Явич, “Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной
GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 494–499 |
| 27. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Расчет энергетических уровней двумерного электронного газа в изотипном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:1 (1987), 14–19 |
|
1986 |
| 28. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Теория $S$-образной вольтамперной характеристики в многослойной
изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1298–1301 |
| 29. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной
зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1262–1270 |
|
1985 |
| 30. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков, “Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1589–1596 |
| 31. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 276–281 |
|
1983 |
| 32. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, С. И. Трошков, “Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$
перехода”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1658–1660 |
|
Обратная связь: