|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Антонов, А. И. Елькинa, В. К. Васильев, М. А. Галин, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1434–1439   ; A. V. Antonov, A. I. Elkina, V. K. Vasil'ev, M. A. Galin, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Experimental observation of $s$-component of superconducting pairing in thin disordered HTSC films based on YBCO”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1598–1603 |
2
|
| 2. |
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 |
4
|
| 3. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 771–777 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculating silicon-amorphization doses under medium-energy light-ion irradiation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 916–922 |
2
|
| 4. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 24–27 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Impact of oxygen vacancies on the formation and structure of filaments in SiO$_2$-based memristors”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 19–22 |
8
|
|
2019 |
| 5. |
А. В. Антонов, А. В. Иконников, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1573–1578 ; A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Phase diagrams of thin disordered films based on HTSC YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ in external magnetic fields”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1523–1528 |
4
|
| 6. |
Д. И. Тетельбаум, В. С. Туловчиков, Ю. А. Менделева, Е. В. Курильчик, А. А. Никольская, А. В. Степанов, “Роль границы раздела водная среда–твердое тело в передаче возбуждения кремния светом”, ЖТФ, 89:9 (2019), 1427–1433 ; D. I. Tetelbaum, V. S. Tulovchikov, Yu. A. Mendeleva, E. V. Kuril'chik, A. A. Nikolskaya, A. V. Stepanov, “Role of the solid–aqueous medium interface in transferring light-induced excitation of silicon”, Tech. Phys., 64:9 (2019), 1350–1356 |
1
|
| 7. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1023–1029 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Diffusion and interaction of In and As implanted into SiO$_2$ films”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1004–1010 |
3
|
| 8. |
Е. В. Окулич, М. Н. Коряжкина, Д. С. Королев, А. И. Белов, М. Е. Шенина, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, И. Н. Антонов, Ю. А. Дудин, “Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6 ; E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 |
2
|
|
2018 |
| 9. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1436–1442 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. I. Morozov, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Behavioral features of MIS memristors with a Si$_{3}$N$_{4}$ nanolayer fabricated on a conductive Si substrate”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546 |
13
|
| 10. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 967–972 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculation of the influence of the ion current density and temperature on the accumulation kinetics of point defects under the irradiation of Si with light ions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1091–1096 |
2
|
| 11. |
А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 702–707 ; A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 |
7
|
|
2017 |
| 12. |
Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 87–92 ; D. S. Korolev, A. A. Nikolskaya, N. O. Krivulin, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, N. A. Sobolev, M. Kumar, “Formation of hexagonal 9$R$ silicon polytype by ion implantation”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769 |
9
|
|
2016 |
| 13. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, D. S. Korolev, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Change of immitance during electroforming and resistive switching in the metal-insulator-metal memristive structures based on SiO$_{x}$”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749 |
16
|
| 14. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
| 15. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 241–244 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 |
11
|
| 16. |
А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум, “Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 17–24 ; A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. S. Korolev, V. A. Sergeev, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, D. I. Tetelbaum, “Resistive switching in Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 505–508 |
4
|
|
1992 |
| 17. |
Н. Е. Лобанова, В. В. Карзанов, Д. И. Тетельбаум, “Об аномальной дозовой зависимости концентрации $VV$-центров в кремнии
при ионной имплантации азота”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1514–1516 |
|
1990 |
| 18. |
А. П. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Е. В. Курильчик, И. Г. Романов, “О механизме изменения свойств металлов с высокой степенью структурного несовершенства при малых дозах ионного облучения”, Докл. АН СССР, 311:3 (1990), 606–608 |
|
1989 |
| 19. |
Н. Е. Лобанова, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Л. В. Потапова, “Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств
и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2149–2152 |
| 20. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, Г. В. Шенгуров, “Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект
дальнодействия при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 15:22 (1989), 44–47  |
|
1988 |
| 21. |
Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн
при распространении в кристалле с кластерами дефектов”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 273–276 |
|
1987 |
| 22. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1495–1497 |
| 23. |
Е. И. Зорин, Н. В. Лисенкова, П. В. Павлов, Е. А. Питиримова, Д. И. Тетельбаум, “Эффект дальнодействия при ионном облучении
«бескислородного» кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 904–910 |
|
1986 |
| 24. |
Ю. В. Павлов, Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке,
на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 503–507 |
|
1985 |
| 25. |
А. С. Васин, В. И. Окулич, В. А. Пантелеев, Д. И. Тетельбаум, “Влияние давления на скорость рекристаллизации аморфизованного слоя кремния при постимплантационном отжиге”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 274–277 |
| 26. |
Н. П. Морозов, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке
за пределами области пробега ионов”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 464–468 |
|
1983 |
| 27. |
Д. И. Тетельбаум, “Связь аморфизуемости алмазоподобных полупроводников с их
механическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1045–1048 |
| 28. |
Н. П. Морозов, Д. И. Тетельбаум, “Глубокое проникновение радиационных дефектов
из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 838–842 |
|
1979 |
| 29. |
П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум, А. И. Герасимов, “Структура ближнего порядка $\mathrm{InSb}$, аморфизованного ионной бомбардировкой”, Докл. АН СССР, 248:6 (1979), 1335–1337 |
|
1974 |
| 30. |
П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум, А. В. Павлов, Е. И. Зорин, “Структурные превращения при бомбардировке железа, никеля и молибдена ионами
$\mathrm{Ar}^+$, $\mathrm{N}^+$ и $\mathrm{C}^+$”, Докл. АН СССР, 217:2 (1974), 330–332 |
|
1970 |
| 31. |
А. И. Герасимов, Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Связь между аморфизацией и образованием точечных дефектов при ионной бомбардировке германия и кремния”, Докл. АН СССР, 192:2 (1970), 324–326 |
|
1967 |
| 32. |
П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Структура аморфного германия, полученного из кристаллического бомбардировкой ионами аргона”, Докл. АН СССР, 175:4 (1967), 823–825 |
|
Обратная связь: