Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$

Методами резерфордовского обратного рассеяния, электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии изучено пространственное распределение и взаимодействие атомов In и As, имплантированных с концентрациями $\sim$1.5 ат% в термически выращенные пленки SiO$_{2}$, в зависимости от температуры последующего отжига при $T$ = 800–1100$^\circ$С в потоке паров азота. Установлено, что после отжига при $T$ = 800–900$^\circ$С происходит сегрегация атомов As на глубине средних пробегов ионов As$^{+}$ и формирование нанокластеров As, которые являются стоками для атомов In. Увеличение температуры отжига до 1100$^\circ$С приводит к сегрегации атомов In на поверхности SiO$_{2}$ и одновременной ускоренной диффузии атомов мышьяка с коэффициентом $D_{\mathrm{As}}$ = 3.2 $\cdot$ 10$^{-14}$ см$^{2}$/с.