|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
А. Н. Терещенкоab, Д. С. Королевb, А. Н. Михайловb, А. И. Беловb, А. А. Никольскаяb, Д. А. Павловb, Д. И. Тетельбаумb, Э. А. Штейнманa a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Исследовано влияние имплантации бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$ с последующим отжигом. Показано, что имплантация ионов B$^{+}$ существенным образом влияет как на интенсивность и состав спектра дислокационной люминесценции, так и на ход температурной зависимости интенсивности полосы D1. Обнаружено, что зависимость не является монотонной и имеет две области возрастания интенсивности полосы D1 с ростом температуры, образуя максимумы при 20 и 60–70 K на температурной зависимости. Максимум при 20 K связан с особенностями морфологии исследуемой дислокационной структуры, в то время как максимум при 60–70 K связан с дополнительной имплантацией примеси бора в дислокационную область образцов. Установлено, что интенсивности наблюдаемых максимумов, а также положение высокотемпературного максимума зависят от концентрации имплантированных ионов B$^{+}$.
Поступила в редакцию: 31.10.2017 Принята в печать: 08.11.2017
Образец цитирования:
А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 702–707; Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5776 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p702
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 9 |
|