|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
Д. С. Королевa, А. А. Никольскаяa, Н. О. Кривулинa, А. И. Беловa, А. Н. Михайловa, Д. А. Павловa, Д. И. Тетельбаумa, Н. А. Соболевb, M. Kumarc a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India
Аннотация:
С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии в приграничном слое кремния структуры SiO$_{2}$/Si, подвергнутой ионной имплантации и термической обработке, обнаружено образование включений гексагонального кремния (политип 9$R$). Образование гексагональной фазы обусловлено механическими напряжениями, возникающими в гетерофазной системе в процессе ионной имплантации.
Поступила в редакцию: 03.05.2017
Образец цитирования:
Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 87–92; Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6151 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i16/p87
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 25 | PDF полного текста: | 11 |
|