Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 771–777
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49649.9338
(Mi phts5194)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий

Е. В. Окуличa, В. И. Окуличb, Д. И. Тетельбаумa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Нижегородский институт управления – филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при Президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
Аннотация: На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации $(\Phi_{\mathrm{am}}$) для ионов средних энергий с массой $M_{1}\le$ 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий $(C_{\mathrm{am}})$. Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома $(E_{d})$ и $C_{\mathrm{am}}$. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров $E_{d}$ и $C_{\mathrm{am}}$) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений $\Phi_{\mathrm{am}}$.
Ключевые слова: кремний, облучение легкими ионами, диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования, расчет доз аморфизации.
Поступила в редакцию: 19.12.2019
Исправленный вариант: 14.01.2020
Принята в печать: 14.01.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 916–922
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 771–777; Semiconductors, 54:8 (2020), 916–922
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkuOkuTet20}
\by Е.~В.~Окулич, В.~И.~Окулич, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 771--777
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5194}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49649.9338}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800751}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 916--922
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5194
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p771
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024