Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 241–244 (Mi phts6545)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, М. В. Коноваловa, П. Н. Аруевa, В. В. Забродскийa, Е. И. Шекa, К. Ф. Штельмахab, А. Н. Михайловc, Д. И. Тетельбаумc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (271 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Исследованы кремниевые светодиоды, изготовленные с помощью имплантации ионов Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе $n$-Si наблюдается дислокационная электролюминесценция при комнатной температуре. В светодиодах на основе $p$-Si электролюминесценция гаснет при температурах выше 220 K. Измерены эффективности возбуждения электролюминесценции $D$1 линии при комнатной температуре, а также $D$1 и $D$4 линий при температуре жидкого азота.
Поступила в редакцию: 04.06.2015
Принята в печать: 12.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 240–243
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 241–244; Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobKalKon16}
\by Н.~А.~Соболев, А.~Е.~Калядин, М.~В.~Коновалов, П.~Н.~Аруев, В.~В.~Забродский, Е.~И.~Шек, К.~Ф.~Штельмах, А.~Н.~Михайлов, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 241--244
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6545}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668111}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 240--243
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6545
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p241
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025