|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
Е. В. Окуличa, В. И. Окуличb, Д. И. Тетельбаумa a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Нижегородский институт управления – филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Выполнены численные расчеты кинетики накопления точечных дефектов – вакансий и дивакансий при облучении кремния ионами с массами $M_{1}\le$ 31 а.е.м. и энергиями $E\le$ 100 кэВ при различных условиях облучения. Использована ранее предложенная диффузионно-коагуляционная модель, но без сделанного при ее аналитической реализации приближения “слабой диффузии”. Проанализированы основные особенности зависимостей концентраций вакансий и дивакансий от дозы, плотности ионного тока и температуры при облучении. Дана физическая интерпретация полученных результатов. Разработанный вычислительный комплекс является достаточно гибким, позволяя путем вариации входных параметров модели анализировать их влияние, а также при необходимости включать в рассмотрение дополнительные процессы.
Поступила в редакцию: 14.12.2017 Принята в печать: 25.12.2017
Образец цитирования:
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 967–972; Semiconductors, 52:9 (2018), 1091–1096
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5724 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p967
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 24 | PDF полного текста: | 6 |
|