Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Козловский Виталий Васильевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 15

Статистика просмотров:
Эта страница:73
Страницы публикаций:596
Полные тексты:205
Списки литературы:3
профессор
доктор физико-математических наук (1996)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
Дата рождения: 9.02.1953
E-mail:
Сайт: https://physics.spbstu.ru/person/kozlovskiy_vitaliy_vasilevich/

Научная биография:

Козловский, Виталий Васильевич. Физические основы радиационного легирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц : автореферат дис. ... доктора физ.-матем. наук : 01.04.07, 01.04.16 / Санкт-Петербургский гос. технич. ун-т. - Санкт-Петербург, 1996. - 38 с.
   
Основные публикации:
  • Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский ; Отв. ред. Р.Ш. Малкович. - СПб. : Наука, 2003. - 267, [1] с. : ил.; 22 см.; ISBN 5-02-024988-2
  • Модификация свойств полупроводников облучением лёгкими ионами : учеб. пос. / В. В. Козловский, П. А. Карасев, А. Э. Васильев, А. И. Титов. - СПб. : Политех-Пресс, 2018. - 115 с. : ил., табл.; ISBN 978-5-7422-6532-0

https://www.mathnet.ru/rus/person108397
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32400
https://www.webofscience.com/wos/author/record/А-6172-2015
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7004057071

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373  mathnet
2020
2. В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
3. А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 6
4. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
5. O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 4
6. В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561  mathnet  elib; V. A. Dobrov, V. V. Kozlovsky, A. V. Mescheryakov, V. G. Usychenko, A. S. Chernova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Effect of electron irradiation with an energy of 0.9 MeV on the I–V characteristics and low-frequency noise in 4$H$-SiC pin diodes”, Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551 3
2018
7. А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 5
8. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
9. В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
10. В. В. Козловский, А. Э. Васильев, П. А. Карасев, А. А. Лебедев, “Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
2017
11. А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
12. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
13. А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, А. Н. Якименко, А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, “Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 6
2016
14. В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
1985
15. В. Н. Ломасов, В. В. Козловский, Н. В. Марущак, “Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2175–2178  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024