Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 555–561
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47457.9027
(Mi phts5551)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов

В. А. Добровa, В. В. Козловскийb, А. В. Мещеряковb, В. Г. Усыченкоab, А. С. Черноваab, Е. И. Шабунинаc, Н. М. Шмидтc

a ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4$H$-SiC pin-диодов наблюдаются после доз $\Phi\ge$ 1.4 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4$H$-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы $\Phi\le$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. В СВЧ-устройствах, в которых уровни низкочастотных шумов не важны, но нужна стабильность режимных параметров, доза может быть повышена до $\Phi\approx$ 8 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 21.11.2018
Исправленный вариант: 29.11.2018
Принята в печать: 29.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 545–551
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 555–561; Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DobKozMes19}
\by В.~А.~Добров, В.~В.~Козловский, А.~В.~Мещеряков, В.~Г.~Усыченко, А.~С.~Чернова, Е.~И.~Шабунина, Н.~М.~Шмидт
\paper Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC \emph{pin}-диодов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 555--561
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5551}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47457.9027}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644631}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 545--551
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5551
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p555
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024