|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
В. А. Добровa, В. В. Козловскийb, А. В. Мещеряковb, В. Г. Усыченкоab, А. С. Черноваab, Е. И. Шабунинаc, Н. М. Шмидтc a ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4$H$-SiC pin-диодов наблюдаются после доз $\Phi\ge$ 1.4 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4$H$-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы $\Phi\le$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. В СВЧ-устройствах, в которых уровни низкочастотных шумов не важны, но нужна стабильность режимных параметров, доза может быть повышена до $\Phi\approx$ 8 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 21.11.2018 Исправленный вариант: 29.11.2018 Принята в печать: 29.11.2018
Образец цитирования:
В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 555–561; Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5551 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p555
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 69 | PDF полного текста: | 28 |
|