Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Sverdlov, B N
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 27
Scientific articles: 27

Number of views:
This page:87
Abstract pages:4270
Full texts:1956

https://www.mathnet.ru/eng/person88888
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
1989
1. I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveĭkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and <i>n</i>-type InP substrates”, Kvantovaya Elektronika, 16:3 (1989),  457–462  mathnet [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306  isi]
1988
2. A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Kvantovaya Elektronika, 15:11 (1988),  2171–2172  mathnet [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363  isi] 40
1987
3. V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, V. I. Shveĭkin, “CONTINUOUS GENERATION AND HIGH-TEMPERATURE LASER TESTS UNDER 100-DEGREES-C BASED ON INGAASP/INP”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:8 (1987),  1570–1574  mathnet
4. I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Kvantovaya Elektronika, 14:1 (1987),  204–205  mathnet [Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122  isi]
1986
5. A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4<i>μ</i> (300K)”, Kvantovaya Elektronika, 13:10 (1986),  2119–2120  mathnet [Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397  isi] 2
6. P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anlsotropic deformation on radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. II. Spectral characteristics and discussion”, Kvantovaya Elektronika, 13:8 (1986),  1610–1616  mathnet [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055  isi] 4
7. P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anisotropic deformation on the radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. I. Lasing threshold, polarization, and wattampere characteristic”, Kvantovaya Elektronika, 13:8 (1986),  1603–1609  mathnet [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050  isi] 7
8. P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. S. Tsimberova, “Light-emission and degradation characteristics of InGaAsP/lnP heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 13:7 (1986),  1376–1380  mathnet [Sov J Quantum Electron, 16:7 (1986), 902–905  isi]
1985
9. A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Kvantovaya Elektronika, 12:6 (1985),  1309–1311  mathnet [Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870  isi] 26
1984
10. V. P. Avdeeva, V. V. Bezotosnyi, M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, N. V. Mal'kova, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS BASED ON THICK GAINPAS/INP (1.2-1.6 MKM) HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:3 (1984),  551–557  mathnet
11. P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, N. Shokhudzhaev, “Reduction of the threshold current of InGaAsP/lnP heterolasers by unidirectional compression”, Kvantovaya Elektronika, 11:8 (1984),  1665–1667  mathnet [Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1120–1121  isi] 11
12. L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 Ê”, Kvantovaya Elektronika, 11:4 (1984),  645–646  mathnet [Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441  isi] 3
13. M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveĭkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Kvantovaya Elektronika, 11:3 (1984),  631–633  mathnet [Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432  isi] 1
1982
14. L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveĭkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Kvantovaya Elektronika, 9:9 (1982),  1902–1904  mathnet [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238  isi]
15. L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Kvantovaya Elektronika, 9:9 (1982),  1749  mathnet [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127  isi]
1981
16. V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Kvantovaya Elektronika, 8:9 (1981),  1994–1996  mathnet [Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209  isi] 2
17. V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 8:9 (1981),  1985–1987  mathnet [Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202  isi] 1
1980
18. A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, B. N. Sverdlov, “Injection $GaInPAs/InP$ heterojunction laser with $6-7^\circ$ output divergence, emitting nonwaveguide modes”, Kvantovaya Elektronika, 7:11 (1980),  2487–2488  mathnet [Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451  isi]
19. V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Kvantovaya Elektronika, 7:9 (1980),  1990–1992  mathnet [Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148  isi] 2
20. Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Kvantovaya Elektronika, 7:1 (1980),  91–96  mathnet [Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53  isi] 9
1978
21. L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Kvantovaya Elektronika, 5:11 (1978),  2488–2489  mathnet [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405]
22. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Kvantovaya Elektronika, 5:3 (1978),  703–704  mathnet [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] 19
1976
23. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub><i>x</i></sub>ln<sub><i>1–x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>Sb<sub><i>1–y</i></sub>”, Kvantovaya Elektronika, 3:4 (1976),  932–934  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] 5
24. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Kvantovaya Elektronika, 3:2 (1976),  465–466  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] 11
1974
25. A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub><i>x</i></sub>In<sub>1–<i>x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>P<sub>1–<i>y</i></sub> and Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1–<i>x</i></sub>Sb<sub><i>y</i></sub>As<sub>1–<i>y</i></sub> solid solutions”, Kvantovaya Elektronika, 1:10 (1974),  2294–2295  mathnet [Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] 66
26. A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Anomalous interaction of spectral modes in a semiconductor laser”, Kvantovaya Elektronika, 1:10 (1974),  2286–2288  mathnet [Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1275–1276] 13
27. D. Akkerman, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Z. Raab, B. N. Sverdlov, “Injection laser with a diffraction grating in its resonator”, Kvantovaya Elektronika, 1:5 (1974),  1145–1149  mathnet [Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 626–628] 2
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024