Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Reznik, Rodion Romanovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 29
Scientific articles: 29

Number of views:
This page:115
Abstract pages:1587
Full texts:552

https://www.mathnet.ru/eng/person183275
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  785–788  mathnet  elib; Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 3
2. V. O. Gridchin, R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Serov, S. A. Kukushkin, G. E. Cirlin, “MBE growth of InGaN nanowires on SiC/Si(111) and Si(111) substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:21 (2021),  32–35  mathnet  elib 2
3. R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:8 (2021),  47–50  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 1
2020
4. A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020),  128–133  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130
5. A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020),  122–127  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 9
6. A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ÒÎÐÎ-CdSe/ZnS quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  952–957  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 7
7. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  902–905  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 6
8. R. R. Reznik, V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis of morphologically developed ingan nanostructures on silicon: influence of the substrate temperature on the morphological and optical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  884–887  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077 4
9. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
10. V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:21 (2020),  32–35  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 7
2019
11. A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1289–1292  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 11
12. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis by molecular beam epitaxy and properties of InGaN nanostructures of branched morphology on a silicon substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:21 (2019),  48–50  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1111–1113 5
13. N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
2018
14. N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
15. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
16. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1304–1307  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 2
17. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 2
18. P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 6
19. I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  509  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604
20. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 10
21. I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
22. R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 12
2017
23. I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
24. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 1
25. A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:7 (2017),  86–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 24
2016
26. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Fizika Tverdogo Tela, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 11
27. I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
28. G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
29. A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  674–678  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 9

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024