|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Alexander S. Pashchenko, Oleg V. Devitsky, Leonid S. Lunin, Marina L. Lunina, Olga S. Pashchenko, Eleonora M. Danilina, “Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023), 601–605   |
|
2021 |
| 2. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Н. А. Яковенко, О. С. Пащенко, “Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 27–30 |
|
2020 |
| 3. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 523–528 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Phase transitions in bismuth-containing elastostressed AlGaInSbBi–InSb heterosystems”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 597–602 |
1
|
| 4. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, N. M. Bogatov, “AlGaInSbAs solid solutions grown on inas substrates by zone recrystallization with a temperature gradient”, Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764 |
| 5. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 38–41 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Isoperiodic Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP heterostructures for planar $p$–$n$ photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 979–982 |
| 6. |
Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, А. А. Кравцов, А. С. Пащенко, “Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 51–54 ; L. S. Lunin, O. V. Devitsky, A. A. Kravtsov, A. S. Pashchenko, “Polymer films with silver nanoparticles improve the spectral characteristics of photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 98–101 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, V. V. Nefedov, “Effect of bismuth on the properties of elastically stressed AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1088–1091 |
1
|
| 8. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, “On the properties of isoparametric AlInGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 887–891 |
1
|
| 9. |
Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, А. С. Пащенко, И. В. Касьянов, Д. А. Никулин, В. А. Ирха, “Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 21–24 ; L. S. Lunin, O. V. Devitsky, I. A. Sysoev, A. S. Pashchenko, I. V. Kasyanov, D. A. Nikulin, V. A. Irkha, “Ion-beam deposition of thin AlN films on Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1237–1240 |
5
|
| 10. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, О. С. Пащенко, “Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 27–29 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, O. S. Pashchenko, “Heterostructures Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb for photodetector devices”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 823–826 |
| 11. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, “Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, “Cascade solar cells based on GaP/Si/Ge nanoheterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 250–252 |
5
|
|
2018 |
| 12. |
Д. Л. Алфимова, М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, А. С. Пащенко, А. Е. Казакова, “Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1277–1282 ; D. L. Alfimova, M. L. Lunina, L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, A. E. Kazakova, “The effect of bismuth on the structural perfection and the luminescent properties of thin-film elastically stressed Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1280–1286 |
3
|
| 13. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. А. Кравцов, И. А. Сысоев, А. В. Блинов, А. С. Пащенко, “Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO$_{2}$–Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 860–864 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. A. Kravtsov, I. A. Sysoev, A. V. Blinov, A. S. Pashchenko, “Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO$_{2}$–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters”, Semiconductors, 52:8 (2018), 993–996 |
11
|
| 14. |
А. С. Пащенко, Л. С. Лунин, С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, “Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 581–585 ; A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev, M. L. Lunina, “Study of the structural and luminescence properties of InAs/GaAs heterostructures with Bi-doped potential barriers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 729–733 |
3
|
| 15. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. E. Kazakova, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, “AlInGaPAs/GaAs/Si heterostructures for photoelectric converters fabricated by pulsed laser deposition”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1154–1156 |
1
|
| 16. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, E. M. Danilina, “AlInPSbAs/InAs heterostructures for thermophotoelectric converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1049–1051 |
|
2016 |
| 17. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1751–1757 |
5
|
| 18. |
А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, Л. С. Лунин, В. А. Ирха, “Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 553–556 ; A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, L. S. Lunin, V. A. Irkha, “Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon”, Semiconductors, 50:4 (2016), 545–548 |
4
|
|
Обратная связь: