Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb

Исследовано влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb. Выявлены оптимальные параметры процесса зонной перекристаллизации градиентом температур, при которых эпитаксиальные слои AlInGaBiSb имели минимальную шероховатость и высокое структурное совершенство: градиент температуры 1$\le G\le$ 30 K/cm, толщина жидкой зоны 60 $\le l\le$ 100 $\mu$m, температурный интервал 773 $\le T\le$ 873 K и концентрация висмута 0.3-0.4 mol. frac.